搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性

陈海峰 郝 跃 马晓华 唐 瑜 孟志琴 曹艳荣 周鹏举

引用本文:
Citation:

超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性

陈海峰, 郝 跃, 马晓华, 唐 瑜, 孟志琴, 曹艳荣, 周鹏举

Characteristics of degradation under GIDL stress in ultrathin gate oxide LDD nMOSFET’s

Chen Hai-Feng, Hao Yue, Ma Xiao-Hua, Tang Yu, Meng Zhi-Qin, Cao Yan-Rong, Zhou Peng-Ju
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  8071
  • PDF下载量:  1363
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-01
  • 修回日期:  2006-08-14
  • 刊出日期:  2007-07-11

/

返回文章
返回