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光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析

贾婉丽 施 卫 纪卫莉 马德明

光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析

贾婉丽, 施 卫, 纪卫莉, 马德明
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-07
  • 修回日期:  2006-11-22
  • 刊出日期:  2007-07-20

光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析

  • 1. (1)西安理工大学理学院应用物理系,西安 710048; (2)西安理工大学理学院应用物理系,西安 710048;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10390160,10376025和50477011)和国家重大基础研究专项经费(批准号:2004CCA04500G)资助的课题.

摘要: 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.

English Abstract

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