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应变Si价带色散关系模型

宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜

应变Si价带色散关系模型

宋建军, 张鹤鸣, 戴显英, 胡辉勇, 宣荣喜
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-08
  • 修回日期:  2008-06-04
  • 刊出日期:  2008-11-20

应变Si价带色散关系模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号: 51308040203, 9140A08060407DZ0103)资助的课题.

摘要: 基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考.

English Abstract

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