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小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究

屈江涛 张鹤鸣 秦珊珊 徐小波 王晓艳 胡辉勇

小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究

屈江涛, 张鹤鸣, 秦珊珊, 徐小波, 王晓艳, 胡辉勇
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  • 本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变Si nMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变Si nMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.
    • 基金项目: 国家部委项目(批准号:51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.
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    Nayfeh H M, Hoyt J L, Dimitri A A 2004 IEEE Trans. on Electron Devices 51 2069

    [15]

    Arora ND 1989 Advanced Device Physics (New York: Academic Press Inc)

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    Price P J 1988 Jounal of Applied Physics 63 4718

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    Ismail K, Nelson S F 1993 Applied Physics Letter 63 660

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    Roldán J B, Gámiz F, López V 1997 IEEE Trans. on Electron Devices 44 841

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    Song J J, Zhang H M, Dai X Y, Hu H Y, Xuan R X 2008 Acta Phys.Sin. 57 5918 (in Chinese) [宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜 2008 物理学报 57 5918]

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-23
  • 修回日期:  2010-12-13
  • 刊出日期:  2011-09-15

小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.

摘要: 本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变Si nMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变Si nMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.

English Abstract

参考文献 (19)

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