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Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

钟战天 王大文 廖显伯 范越 李承芳 牟善明

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

钟战天, 王大文, 廖显伯, 范越, 李承芳, 牟善明
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-04-09
  • 刊出日期:  1991-01-05

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

  • 1. (1)清华大学无线电电子学系; (2)中国科学院半导体研究所,北京,100083; (3)中国科学院表面物理实验室,北京,100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 采用x射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)对Au/a-Si:H界面进行了研究。实验表明,Au/a-Si:H界面最初形成过程是以金属团生长形式出现,当Au淀积量超过一定值后,Au和Si开始互扩散并进行化学反应,结果形成Au-Si互溶区。利用光发射方法证实,热处理Au/a-Si:H界面导致淀积膜中Si岛形成。

English Abstract

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