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通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型,研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒降低效应及衬偏效应的影响,提出了优化器件性能的结构参数设计原则及取值范围. 模拟结果与TCAD仿真结果符合较好,证实了模型的正确性与实用性.
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关键词:
- GeOI MOSFET /
- 阈值电压 /
- 亚阈斜率 /
- 短沟道效应
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