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硅直接键合界面附近的深能级研究

卢励吾 周洁 封松林 钱照明 彭青

硅直接键合界面附近的深能级研究

卢励吾, 周洁, 封松林, 钱照明, 彭青
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-04-15
  • 刊出日期:  1994-05-20

硅直接键合界面附近的深能级研究

  • 1. (1)北京半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所; (2)浙江大学电力电子技术研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金和浙江省自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-Si/n+-Si界面附近的深能级。实验结果表明,在直接键合的n-Si/n+-Si界面n-Si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(Ec-0.39eV)。E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在1013-1014cm-3之间。它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理

English Abstract

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