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高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

郭晓旭 朱美芳 刘金龙 韩一琴 许怀哲 董宝中 生文君 韩和相

高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

郭晓旭, 朱美芳, 刘金龙, 韩一琴, 许怀哲, 董宝中, 生文君, 韩和相
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  • 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:69576023)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-01-19
  • 修回日期:  1998-03-27
  • 刊出日期:  1998-09-20

高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

  • 1. (1)中国科学技术大学研究生院物理系,北京 100039;中国科学院半导体材料科学实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100084; (3)中国科学院高能物理研究所,北京 100039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69576023)资助的课题.

摘要: 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χc随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2

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