[1] |
钟梓源, 何凯, 苑云, 汪韬, 高贵龙, 闫欣, 李少辉, 尹飞, 田进寿. 低温生长铝镓砷光折变效应的研究. 物理学报,
2019, 68(16): 167801.
doi: 10.7498/aps.68.20190459
|
[2] |
赵静, 余辉龙, 刘伟伟, 郭婧. 砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析. 物理学报,
2017, 66(22): 227801.
doi: 10.7498/aps.66.227801
|
[3] |
樊正富, 谭智勇, 万文坚, 邢晓, 林贤, 金钻明, 曹俊诚, 马国宏. 低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱. 物理学报,
2017, 66(8): 087801.
doi: 10.7498/aps.66.087801
|
[4] |
常晓阳, 尧舜, 张奇灵, 张杨, 吴波, 占荣, 杨翠柏, 王智勇. 基于分布式布拉格反射器结构的空间三结砷化镓太阳能电池抗辐照研究. 物理学报,
2016, 65(10): 108801.
doi: 10.7498/aps.65.108801
|
[5] |
杨建宋, 李宝兴. 砷化镓离子团簇的稳定性研究. 物理学报,
2006, 55(12): 6562-6569.
doi: 10.7498/aps.55.6562
|
[6] |
徐岳生, 杨新荣, 王海云, 唐 蕾, 刘彩池, 魏 欣, 覃道志. 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究. 物理学报,
2005, 54(4): 1904-1908.
doi: 10.7498/aps.54.1904
|
[7] |
徐岳生, 唐 蕾, 王海云, 刘彩池, 郝景臣. 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构. 物理学报,
2004, 53(2): 651-655.
doi: 10.7498/aps.53.651
|
[8] |
程知群, 孙晓玮, 夏冠群, 李洪芹, 盛怀茂, 钱蓉. AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离. 物理学报,
2000, 49(2): 375-378.
doi: 10.7498/aps.49.375
|
[9] |
马海明, 李富铭. 砷化镓中微微秒光脉冲的自透射. 物理学报,
1989, 38(9): 1530-1533.
doi: 10.7498/aps.38.1530
|
[10] |
程兆年, 王渭源. 硼注入砷化镓的电子阻止本领. 物理学报,
1985, 34(7): 968-972.
doi: 10.7498/aps.34.968
|
[11] |
莫党, 潘士宏, W. E. SPICER, I. LINDAU. 砷化镓上银和金膜的价带光电子谱. 物理学报,
1983, 32(11): 1467-1470.
doi: 10.7498/aps.32.1467
|
[12] |
程兆年, 朱文玉, 王渭源. 七种离子注入砷化镓的射程统计参数计算. 物理学报,
1982, 31(7): 922-931.
doi: 10.7498/aps.31.922
|
[13] |
王渭源, 乔墉, 林成鲁, 罗潮渭, 周永泉. 掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入. 物理学报,
1982, 31(1): 71-77.
doi: 10.7498/aps.31.71
|
[14] |
莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星. 用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应. 物理学报,
1980, 29(9): 1214-1216.
doi: 10.7498/aps.29.1214
|
[15] |
王渭源. 用阶跃恢复法测定砷化镓结型(p-n和M-S结)两极管的载流子寿命. 物理学报,
1979, 28(3): 341-349.
doi: 10.7498/aps.28.341
|
[16] |
周炳林, 汪乐, 邵永富, 陈启屿. 砷化镓中深能级陷阱的测量. 物理学报,
1979, 28(3): 350-357.
doi: 10.7498/aps.28.350
|
[17] |
砷化镓单晶研究组. 水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶. 物理学报,
1976, 25(2): 179-180.
doi: 10.7498/aps.25.179
|
[18] |
王守武, 庄蔚华, 彭怀德, 庄婉如. 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性. 物理学报,
1965, 21(5): 1077-1079.
doi: 10.7498/aps.21.1077
|
[19] |
萧楠, 刘益焕. 锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨——用X射线衍射法测量. 物理学报,
1964, 20(8): 699-704.
doi: 10.7498/aps.20.699
|
[20] |
阮刚, 陈宁锵. 流体静压力对高简并砷化镓P-N结某些参数的影响. 物理学报,
1964, 20(8): 806-813.
doi: 10.7498/aps.20.806
|