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外电场下STM钨针尖电子结构的理论研究

李群祥 杨金龙 汪克林 侯建国 李家明

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外电场下STM钨针尖电子结构的理论研究

李群祥, 杨金龙, 汪克林, 侯建国, 李家明

THEORETICAL STUDY ON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF STM TUNGSTEN TIP UNDER EXTERNAL ELECTRIC FIELDS

LI QUN-XIANG, YANG JIN-LONG, WANG KE-LIN, HOU JIAN-GUO, LI JIA-MING
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-07-15
  • 修回日期:  1997-09-04
  • 刊出日期:  1998-03-20

外电场下STM钨针尖电子结构的理论研究

  • 1. (1)清华大学单原子分子测控科学中心,北京 100084;中国科学院物理研究所,北京 100080; (2)中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026; (3)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥 230026;中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026
    基金项目: 国家攀登计划、中国原子分子数据联合体和国家自然科学基金部分资助的课题.

摘要: 采用离散变分局域密度泛函方法,研究了外电场对钨(111)面针尖电子结构的影响.详细计算和分析了在不同偏压和距离条件下,钨针尖的隧道激活轨道和电荷分布.研究结果表明:隧道激活轨道中针尖原子的成分对外偏压的极性、大小以及针尖与样品之间的距离都较敏感.与过去理论计算结果不同,钨针尖原子的5dz2轨道对隧道激活轨道有一定贡献,但并不是最主要的.在加正偏压时对隧道激活轨道贡献最大的为5dxz和5dyz轨道,而在加负偏压时则为包括

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