低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性

李喜峰; 信恩龙; 石继锋; 陈龙龙; 李春亚; 张建华

doi:10.7498/aps.62.108503

摘要

采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO), 在相对低的温度(-2·V-1·s-1, 开关比大于107, 亚阈值摆幅 SS为0.4 V/dec, 阈值电压为3.6 V. 栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象. 白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响, 表明制备的器件可用于透明显示器件. 研究了器件的光照稳定性, 光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V, 这种漂移是由于界面电荷束缚所致.

关键词:

Abstract

The amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) thin films are prepared by radio frequency magnetron sputtering at ambient temperature. The transparent thin film transistors (TFT) fabricated at low temperature (a-IGZO active channel exhibits good electrical properties with a field effect mobility of around 10 cm2·V-1·s-1, subthreshold swing of 0.4 V/decade, and high Ionoff current ratio of over 107. Hysteresis is not observed when gate voltage sweeps forward and reverses. And the dependence of white LED illumination on characteristic of a-IGZO TFT is investigated. The results show that output characteristic is hardly affected, indicating the potential of the devices for transparent electronics In particular, illumination stability is investigated under white LED illumination stress test, and the a-IGZO TFT shows only 04 V shift in threshold voltage. The negative shift can be explained on the basis of trap of interface state.

Keywords:

作者及机构信息

1.
上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61006005)和上海科学技术委员会重大攻关项目(批准号: 10dz1100102)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai 200072, China

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61006005) and the Shanghai Science and Technology Commission, China (Grant No. 10dz1100102).

参考文献

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施引文献

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