搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

黄杨程 刘大福 梁晋穗 龚海梅

引用本文:
Citation:

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

黄杨程, 刘大福, 梁晋穗, 龚海梅

Low frequency noise study on short wavelength HgCdTe photodiodes

Huang Yang-Cheng, Liu Da-Fu, Liang Jin-Sui, Gong Hai-Mei
PDF
导出引用
  • 对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究,测试温度范围255—293K.实验结果表明随着温度的下降,器件的优值因子R0A从45×103Ωcm2增加到7×104Ωcm2.器件在低频区的主要噪 声成分是1/f噪声和产生-复合噪声,在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内,器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比,器件的Hooge系数为3×10-4—7×10-4.从噪声 功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ,通过τ的温度特性得到了器件的深能级.
    The current-voltage characteristics and the low frequency noise measured at 255 —293K are reported. The figures of merit increase from 45×103 t o 7×104Ωcm2 as the temperatures decreases. At low fre quencies the noise mainly cons ists of flicker noise and generation recombination (g-r) noise, while at high fr equencies thermal noise is the dominant component. The flicker noise current is proportional to the detector current at reverse bias, and the Hooge parameter αH of the device is (3—7)×10-4. In addition, the fluc tuation time co nstant τ of the g-r noise is extracted by fitting the curve of the low_freq uency noise. Therefore, the trap thermal activation energy of the deep level is obtained from the relation between τ and temperature.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506-2)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  7139
  • PDF下载量:  857
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-06-08
  • 修回日期:  2004-08-30
  • 刊出日期:  2005-05-10

/

返回文章
返回