InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

李为军; 张波; 徐文兰; 陆卫

doi:10.7498/aps.58.3421

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

李为军 , 张波 , 徐文兰 , 陆卫

引用本文:

Citation:

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

李为军, 张波, 徐文兰, 陆卫

物理学报, 2009, 58(5): 3421-3426.

doi: 10.7498/aps.58.3421

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

Li Wei-Jun, Zhang Bo, Xu Wen-Lan, Lu Wei

Acta Phys. Sin., 2009, 58(5): 3421-3426.

doi: 10.7498/aps.58.3421

摘要
分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟，并和实验测量结果进行了比对，结果发现，量子点模型的引入，很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时，在I-V曲线特性模拟中发现，在量子点理论模型的基础上，只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应，才能得到和实验相接近的I-V曲线，揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中，载流子的非

关键词:
InGaN/GaN /

发光二极管 /

数值模拟 /

量子点模型
Abstract
A 2D simulation of electrical and optical characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes by APSYS software with a dot-well model and well model are investigated. It shows that I-V and electrical luminescence simulation results based on the quantum dot model are in better agreement with the experimental data than that based purely on quantum well model. Moreover, simulation result also suggest that the non-equilibrium quantum transport plays an important role in the InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.

Keywords:
InGaN/GaN /

light-emitting diode /

numerical simulation /

quantum dot model
作者及机构信息
李为军²,

张波²,

徐文兰¹,

陆卫²

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

基金项目: 国家自然科学基金（批准号: 10474020）和上海市基础研究重大项目（批准号：06dj14008）资助的课题.
Authors and contacts
Li Wei-Jun²,

Zhang Bo²,

Xu Wen-Lan¹,

Lu Wei²

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083
参考文献

施引文献

[1]	赵建铖, 吴朝兴, 郭太良. 无注入型发光二极管的载流子输运模型研究. 物理学报, 2023, 72(4): 048503. doi: 10.7498/aps.72.20221831
[2]	贾博仑, 邓玲玲, 陈若曦, 张雅男, 房旭民. 利用Ag@SiO2纳米粒子等离子体共振增强发光二极管辐射功率的数值研究. 物理学报, 2017, 66(23): 237801. doi: 10.7498/aps.66.237801
[3]	时强, 李路平, 张勇辉, 张紫辉, 毕文刚. GaN/InxGa1-xN型最后一个量子势垒对发光二极管内量子效率的影响. 物理学报, 2017, 66(15): 158501. doi: 10.7498/aps.66.158501
[4]	张超宇, 熊传兵, 汤英文, 黄斌斌, 黄基锋, 王光绪, 刘军林, 江风益. 图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究. 物理学报, 2015, 64(18): 187801. doi: 10.7498/aps.64.187801
[5]	王党会, 许天旱, 王荣, 雒设计, 姚婷珍. InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征. 物理学报, 2015, 64(5): 050701. doi: 10.7498/aps.64.050701
[6]	刘战辉, 张李骊, 李庆芳, 张荣, 修向前, 谢自力, 单云. Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管. 物理学报, 2014, 63(20): 207304. doi: 10.7498/aps.63.207304
[7]	陈伟超, 唐慧丽, 罗平, 麻尉蔚, 徐晓东, 钱小波, 姜大朋, 吴锋, 王静雅, 徐军. GaN基发光二极管衬底材料的研究进展. 物理学报, 2014, 63(6): 068103. doi: 10.7498/aps.63.068103
[8]	王雪松, 冀子武, 王绘凝, 徐明升, 徐现刚, 吕元杰, 冯志红. 关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究. 物理学报, 2014, 63(12): 127801. doi: 10.7498/aps.63.127801
[9]	陈新莲, 孔凡敏, 李康, 高晖, 岳庆炀. 无序光子晶体提高GaN基蓝光发光二极管光提取效率的研究. 物理学报, 2013, 62(1): 017805. doi: 10.7498/aps.62.017805
[10]	岳庆炀, 孔凡敏, 李康, 赵佳. 基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究. 物理学报, 2012, 61(20): 208502. doi: 10.7498/aps.61.208502
[11]	王光绪, 陶喜霞, 熊传兵, 刘军林, 封飞飞, 张萌, 江风益. 牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究. 物理学报, 2011, 60(7): 078503. doi: 10.7498/aps.60.078503
[12]	薛正群, 黄生荣, 张保平, 陈朝. 激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析. 物理学报, 2010, 59(2): 1268-1274. doi: 10.7498/aps.59.1268
[13]	朱丽虹, 蔡加法, 李晓莹, 邓彪, 刘宝林. In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能. 物理学报, 2010, 59(7): 4996-5001. doi: 10.7498/aps.59.4996
[14]	李炳乾, 郑同场, 夏正浩. GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究. 物理学报, 2009, 58(10): 7189-7193. doi: 10.7498/aps.58.7189
[15]	熊传兵, 江风益, 王立, 方文卿, 莫春兰. 硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究. 物理学报, 2008, 57(12): 7860-7864. doi: 10.7498/aps.57.7860
[16]	李炳乾, 刘玉华, 冯玉春. 大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响. 物理学报, 2008, 57(1): 477-481. doi: 10.7498/aps.57.477
[17]	沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲. 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究. 物理学报, 2008, 57(1): 472-476. doi: 10.7498/aps.57.472
[18]	张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲, 沈光地. 电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响. 物理学报, 2007, 56(10): 6003-6007. doi: 10.7498/aps.56.6003
[19]	徐耿钊, 梁琥, 白永强, 刘纪美, 朱星. 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究. 物理学报, 2005, 54(11): 5344-5349. doi: 10.7498/aps.54.5344
[20]	罗毅, 郭文平, 邵嘉平, 胡卉, 韩彦军, 薛松, 汪莱, 孙长征, 郝智彪. GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究. 物理学报, 2004, 53(8): 2720-2723. doi: 10.7498/aps.53.2720

计量

文章访问数: 6031
PDF下载量: 1536
被引次数: 0

物理学报. 2009, 58(5): 3421-3426.

doi: 10.7498/aps.58.3421.

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

1. (1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

基金项目: 国家自然科学基金（批准号: 10474020）和上海市基础研究重大项目（批准号：06dj14008）资助的课题.

收稿日期: 2008-03-24
修回日期: 2008-05-11
刊出日期: 2009-05-20

摘要: 分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟，并和实验测量结果进行了比对，结果发现，量子点模型的引入，很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时，在I-V曲线特性模拟中发现，在量子点理论模型的基础上，只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应，才能得到和实验相接近的I-V曲线，揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中，载流子的非

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

Authors and contacts

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

参考文献

施引文献

目录

计量

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

English Abstract

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

1.
(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

Authors and contacts

(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

English Abstract

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

1. (1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
(1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083