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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

秦珊珊 张鹤鸣 胡辉勇 屈江涛 王冠宇 肖庆 舒钰

引用本文:
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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

秦珊珊, 张鹤鸣, 胡辉勇, 屈江涛, 王冠宇, 肖庆, 舒钰

A two-dimensional subthreshold current model for fullydepleted strained-SOI MOSFET

Qin Shan-Shan, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Qu Jiang-Tao, Wang Guan-Yu, Xiao Qing, Shu Yu
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-20
  • 修回日期:  2010-08-17
  • 刊出日期:  2011-05-15

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