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应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 舒斌 王斌 王冠宇

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应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇

Physical compact modeling for threshold voltage of strained Si NMOSFET

Zhou Chun-Yu, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhuang Yi-Qi, Su Bin, Wang Bin, Wang Guan-Yu
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-04
  • 修回日期:  2012-11-25
  • 刊出日期:  2013-04-05

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