SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

金  鹏; 潘士宏; 梁基本

doi:10.7498/aps.49.1821

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SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

金鹏 , 潘士宏 , 梁基本

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SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

金鹏, 潘士宏, 梁基本

物理学报, 2000, 49(9): 1821-1828.

doi: 10.7498/aps.49.1821

FOURIER TRANSFORMATION STUDY OF THE FRANZ-KELDYSH OSCILLATION IN SIN+ GaAs STRUCTURES

JIN PENG, PAN SHI-HONG, LIANG JI-BEN

Acta Phys. Sin., 2000, 49(9): 1821-1828.

doi: 10.7498/aps.49.1821

摘要
利用傅里叶变换(FT)方法，对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟，并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层-n型重掺杂层(SIN+)结构的GaAs样品的FKO. PR谱的FT分析表明，一部分样品的FT谱，包括其实部、虚部和模，与理论线性符合得比较好，由此求出轻空穴(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μl/μh对不同样品在0805—0816之间，同时也可以求出

关键词:
Franz-Keldysh振荡 /

傅里叶变换 /

GaAs
Abstract
Fourier transformation (FT) method has been used in the theoretical lineshape analysis of the Franz-Keldysh Oscillation (FKO) in detail by numerical simulation. The FKO of a set of GaAs SIN+ samples was obtained in photoreflectanc e measurements.The FT spectra of a part of the samples,including of the real par t,imaginary part,and mode of the FT,are well consistent with the theoretical lin eshapes.The ratio of the square root of the reduced mass of the light hole (LH) to the heavy hole (HH),μl/μh,obtained in the analysis wa s in the range of 0805 to 0816 for different samples.In addition,the built-i n electric field Ｆ1,and the modulation field δＦ=F1-F2 induced by photo-modulation were also obtained in the analysis.However ,for a few samples great difference was found in the lineshape of the real part and imaginary part of their FT spectra from the theoretical lineshape.In this ca se the mode of the FT spectra still can be used to obtain useful information.

Keywords:
Franz-Keldysh Oscillation /

Fourier transformation /

GaAs
作者及机构信息
金鹏¹,

潘士宏¹,

梁基本²

(1)南开大学物理系，天津 300071; (2)中国科学院半导体研究所，北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：69776019)资助的课题.
Authors and contacts
JIN PENG¹,

PAN SHI-HONG¹,

LIANG JI-BEN²

(1)南开大学物理系，天津 300071; (2)中国科学院半导体研究所，北京 100083
参考文献

施引文献

[1]	杨君, 吴浩, 罗琨皓, 郭金川, 宗方轲. 抑制傅里叶变换法恢复的X射线相衬像中的伪影. 物理学报, 2021, 70(10): 104101. doi: 10.7498/aps.70.20201781
[2]	王振, 杜艳君, 丁艳军, 彭志敏. 基于傅里叶变换的波长扫描腔衰荡光谱. 物理学报, 2019, 68(20): 204204. doi: 10.7498/aps.68.20191062
[3]	于慧, 张瑞, 李克武, 薛锐, 王志斌. 双强度调制静态傅里叶变换偏振成像光谱系统测量原理及仿真. 物理学报, 2017, 66(5): 054201. doi: 10.7498/aps.66.054201
[4]	尹增谦, 武臣, 宫琬钰, 龚之珂, 王永杰. Voigt线型函数及其最大值的研究. 物理学报, 2013, 62(12): 123301. doi: 10.7498/aps.62.123301
[5]	王杰, 韩勤, 杨晓红, 倪海桥, 贺继方, 王秀平. 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 物理学报, 2012, 61(1): 018502. doi: 10.7498/aps.61.018502
[6]	毕娟, 金光勇, 倪晓武, 张喜和, 姚志健. 532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析. 物理学报, 2012, 61(24): 244209. doi: 10.7498/aps.61.244209
[7]	张淑娜, 罗震岳, 沈伟东, 刘旭, 章岳光. 利用白光干涉技术测量块状材料的群折射率. 物理学报, 2011, 60(1): 014221. doi: 10.7498/aps.60.014221
[8]	王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰, 倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究. 物理学报, 2011, 60(2): 020703. doi: 10.7498/aps.60.020703
[9]	牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟. GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究. 物理学报, 2011, 60(4): 044210. doi: 10.7498/aps.60.044210
[10]	彭银生, 叶小玲, 徐波, 牛洁斌, 贾锐, 王占国, 梁松, 杨晓红. 二维GaAs 基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析. 物理学报, 2010, 59(10): 7073-7077. doi: 10.7498/aps.59.7073
[11]	张记全, 张延惠, 周慧, 贾正茂, 林圣路. 圆环弹子球量子谱的衍射效应. 物理学报, 2009, 58(9): 5965-5969. doi: 10.7498/aps.58.5965
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[13]	牛军, 杨智, 常本康, 乔建良, 张益军. 反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究. 物理学报, 2009, 58(7): 5002-5006. doi: 10.7498/aps.58.5002
[14]	刘斌, 金伟其, 董立泉. 热成像系统前置栅网结构的衍射效应分析. 物理学报, 2008, 57(9): 5578-5583. doi: 10.7498/aps.57.5578
[15]	赵保银, 吕百达. 使用离焦望远镜系统合成轴上平顶光束的一种新方法. 物理学报, 2008, 57(5): 2919-2924. doi: 10.7498/aps.57.2919
[16]	滕利华, 余华梁, 左方圆, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6598-6603. doi: 10.7498/aps.57.6598
[17]	滕利华, 余华梁, 黄志凌, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6593-6597. doi: 10.7498/aps.57.6593
[18]	徐海红, 焦中兴, 刘晓东, 雷亮, 文锦辉, 王惠, 林位株, 赖天树. GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2618-2622. doi: 10.7498/aps.55.2618
[19]	袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究. 物理学报, 2004, 53(10): 3521-3524. doi: 10.7498/aps.53.3521
[20]	柳强, 巩马理, 闫平, 贾维溥, 崔瑞祯, 王东生. GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究. 物理学报, 2002, 51(12): 2756-2760. doi: 10.7498/aps.51.2756

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物理学报. 2000, 49(9): 1821-1828.

doi: 10.7498/aps.49.1821.

SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

1. (1)南开大学物理系，天津 300071; (2)中国科学院半导体研究所，北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：69776019)资助的课题.

收稿日期: 1999-07-15
修回日期: 2000-01-15
刊出日期: 2000-09-20

摘要: 利用傅里叶变换(FT)方法，对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟，并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层-n型重掺杂层(SIN+)结构的GaAs样品的FKO. PR谱的FT分析表明，一部分样品的FT谱，包括其实部、虚部和模，与理论线性符合得比较好，由此求出轻空穴(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μl/μh对不同样品在0805—0816之间，同时也可以求出

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