[1] |
赵静, 余辉龙, 刘伟伟, 郭婧. 砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析. 物理学报,
2017, 66(22): 227801.
doi: 10.7498/aps.66.227801
|
[2] |
樊正富, 谭智勇, 万文坚, 邢晓, 林贤, 金钻明, 曹俊诚, 马国宏. 低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱. 物理学报,
2017, 66(8): 087801.
doi: 10.7498/aps.66.087801
|
[3] |
赵有文, 董志远. InP中深能级缺陷的产生与抑制现象. 物理学报,
2007, 56(3): 1476-1479.
doi: 10.7498/aps.56.1476
|
[4] |
杨建宋, 李宝兴. 砷化镓离子团簇的稳定性研究. 物理学报,
2006, 55(12): 6562-6569.
doi: 10.7498/aps.55.6562
|
[5] |
徐岳生, 杨新荣, 王海云, 唐 蕾, 刘彩池, 魏 欣, 覃道志. 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究. 物理学报,
2005, 54(4): 1904-1908.
doi: 10.7498/aps.54.1904
|
[6] |
徐岳生, 唐 蕾, 王海云, 刘彩池, 郝景臣. 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构. 物理学报,
2004, 53(2): 651-655.
doi: 10.7498/aps.53.651
|
[7] |
刘红侠, 郑雪峰, 郝跃. 薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法. 物理学报,
2002, 51(1): 163-166.
doi: 10.7498/aps.51.163
|
[8] |
乔皓, 徐至中, 张开明. 形变Si,Ge中的深能级. 物理学报,
1993, 42(11): 1830-1835.
doi: 10.7498/aps.42.1830
|
[9] |
马海明, 李富铭. 砷化镓中微微秒光脉冲的自透射. 物理学报,
1989, 38(9): 1530-1533.
doi: 10.7498/aps.38.1530
|
[10] |
王德宁, 沈彭年, 王渭源. 深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响. 物理学报,
1987, 36(10): 1264-1272.
doi: 10.7498/aps.36.1264
|
[11] |
程兆年, 王渭源. 硼注入砷化镓的电子阻止本领. 物理学报,
1985, 34(7): 968-972.
doi: 10.7498/aps.34.968
|
[12] |
傅春寅, 鲁永令, 曾树荣. 半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应. 物理学报,
1985, 34(12): 1559-1566.
doi: 10.7498/aps.34.1559
|
[13] |
莫党, 潘士宏, W. E. SPICER, I. LINDAU. 砷化镓上银和金膜的价带光电子谱. 物理学报,
1983, 32(11): 1467-1470.
doi: 10.7498/aps.32.1467
|
[14] |
王渭源, 乔墉, 林成鲁, 罗潮渭, 周永泉. 掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入. 物理学报,
1982, 31(1): 71-77.
doi: 10.7498/aps.31.71
|
[15] |
程兆年, 朱文玉, 王渭源. 七种离子注入砷化镓的射程统计参数计算. 物理学报,
1982, 31(7): 922-931.
doi: 10.7498/aps.31.922
|
[16] |
王渭源, 徐景阳, 倪企民, 谭儒环, 刘月琴, 邱月英. 砷化镓中质子注入之研究. 物理学报,
1979, 28(5): 86-95.
doi: 10.7498/aps.28.86
|
[17] |
砷化镓单晶研究组. 水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶. 物理学报,
1976, 25(2): 179-180.
doi: 10.7498/aps.25.179
|
[18] |
王守武, 庄蔚华, 彭怀德, 庄婉如. 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性. 物理学报,
1965, 21(5): 1077-1079.
doi: 10.7498/aps.21.1077
|
[19] |
阮刚, 陈宁锵. 流体静压力对高简并砷化镓P-N结某些参数的影响. 物理学报,
1964, 20(8): 806-813.
doi: 10.7498/aps.20.806
|
[20] |
萧楠, 刘益焕. 锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨——用X射线衍射法测量. 物理学报,
1964, 20(8): 699-704.
doi: 10.7498/aps.20.699
|