非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型
物理学报
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物理学报  2013, Vol. 62 Issue (15): 158502     doi:10.7498/aps.62.158502
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非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型
辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Two-dimensional analytical model of dual material gate strained Si SOI MOSFET with asymmetric Halo
Xin Yan-Hui, Liu Hong-Xia, Fan Xiao-Jiao, Zhuo Qing-Qing
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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