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考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

代月花 陈军宁 柯导明 孙家讹

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-06-01
  • 修回日期:  2004-07-19
  • 刊出日期:  2005-01-05

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

  • 1. 安徽大学电子科学与技术学院,合肥 230039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276042)和安徽省自然科学基金(批准号:01044104)资助 的课题.

摘要: 根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较.

English Abstract

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