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应变Si电子电导有效质量模型

赵丽霞 张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜

应变Si电子电导有效质量模型

赵丽霞, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜
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  • 采用K·P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si1-xGex材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si1-xGex材料(101)面生长的应变Si
    • 基金项目: 国家部委项目(Nos. 51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.
    [1]

    Lin J Y, Tang Y H, Tsai M H, 2009 Computer Physics Communication 180 659

    [2]

    Song J J, Zhang H M, Dian X Y, Hu H Y, Xuan R X 2008 Acta Phys. Sin. 57 7228 (in Chinese ) [宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜 2008 物理学报 57 7228]

    [3]

    Song J J, Zhang H M, Dian X Y, Hu H Y, Xuan R X 2008 Acta Phys. Sin. 57 5918 (in Chinese ) [宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜 2008 物理学报 57 5918]

    [4]

    Courtesy J R, 2005 IEEE Circuits & Magazine 9 18

    [5]

    Song J J, Zhang H M, Hu H Y, Dian X Y, Xuan R X 2007 Chin. Phys. 16 3827

    [6]

    Xie X D, Lu D1998 Energy band theory of solids (Shanghai: Fudan University Press) (in Chinese ) p58 [谢希德、陆 栋1998 固体能带理论(上海:复旦大学出版社) 第58页]

    [7]

    Smirnov S, Kosina H 2004 Solid-State Electronics 48 1325

    [8]

    Shi M, Wu G J 2008 Physics of Semiconductor Devices (Xi’an: Xi’an Jiaotong University Press) (in Chinese ) p389 [施 敏、伍国珏2008 半导体器件物理(西安:西安交通大学出版社) 第389页]

    [9]

    Liu E K, Zhu B Sh, Luo J Sh 1994 Semiconductor Physics (Beijing: Defense Industry Press) (in Chinese ) p95 [刘恩科、朱秉升、罗晋生 1994 半导体物理学(北京:国防工业出版社)第95页]

  • [1]

    Lin J Y, Tang Y H, Tsai M H, 2009 Computer Physics Communication 180 659

    [2]

    Song J J, Zhang H M, Dian X Y, Hu H Y, Xuan R X 2008 Acta Phys. Sin. 57 7228 (in Chinese ) [宋建军、张鹤鸣、戴显英、胡辉勇、宣荣喜 2008 物理学报 57 7228]

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  • [1] 蒋涛, 任金莲, 蒋戎戎, 陆伟刚. 基于局部加密纯无网格法非线性Cahn-Hilliard方程的模拟. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191829
    [2] 黄永峰, 曹怀信, 王文华. 共轭线性对称性及其对\begin{document}$ {\mathcal{P}}{\mathcal{T}} $\end{document}-对称量子理论的应用. 物理学报, 2020, 69(3): 030301. doi: 10.7498/aps.69.20191173
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-07
  • 修回日期:  2010-01-07
  • 刊出日期:  2010-09-15

应变Si电子电导有效质量模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(Nos. 51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.

摘要: 采用K·P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si1-xGex材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si1-xGex材料(101)面生长的应变Si

English Abstract

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