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异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

曹磊 刘红侠 王冠宇

异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

曹磊, 刘红侠, 王冠宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-02-23
  • 修回日期:  2011-04-21
  • 刊出日期:  2012-01-05

异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60976068, 60936005)和教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083)资助的课题.

摘要: 为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上, 提出了一种新型的异质栅MOSFET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响. 通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合. 研究表明:与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高, 可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应, 使器件性能得到了很大的提升.

English Abstract

参考文献 (10)

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