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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

许立军 张鹤鸣

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

许立军, 张鹤鸣
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-13
  • 修回日期:  2012-12-27
  • 刊出日期:  2013-05-20

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071

摘要: 结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构, 通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布, 并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果, 分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响, 对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

English Abstract

参考文献 (16)

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