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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

许立军 张鹤鸣

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

许立军, 张鹤鸣
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  • 结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构, 通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布, 并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果, 分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响, 对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.
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    Gan X W, Wang X S, Zhang X 2001 Chin. J. Semicond. 22 1581 (in Chinese) [甘学温, 王旭社, 张兴 2001 半导体学报 22 1581]

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    Xu B J, Du G, Xia Z L, Zeng L, Han R Q, Liu X Y 2007 Chin. J. Semicond. 28 1179

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    Li P C, Hu G X, Mei G H, Liu R, Jiang Y, Tang T G 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Shanghai, 1-4 Nov. 2010 p3

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    [11]

    Shin M 2008 IEEE Trans. Electron Dev. 55 737

    [12]

    Shi M, Wu G Y 2008 Physics of Semiconductor Devices (3rd Ed.) (Xi'an: Xi'an Jiaotong University Press) pp104-127 (in Chinese) [施敏, 伍国珏 2008 半导体器件物理(第3版)(西安: 西安交通大学出版社) 第104–127页]

    [13]

    Snyder J P, Helms C R, Nishi Y 1999 Appl. Phys. Lett. 74 3407

    [14]

    Zhu G J, Zhou X, Chin Y K, Pey K L, Zhang J B, See G H, Lin S H, Yan Y F, Chen Z H 2010 IEEE Trans. Electron Dev. 57 772

    [15]

    Winstead B, Ravaioli U 2000 IEEE Trans. Electron Dev. 47 1241

    [16]

    Sung D S, Ming L, Yun Y Y, Kyoung H Y, Keun H C, In K K, Hong C, Jang W J, Kim D W, Park D G, Lee W S 2007 IEEE International Electron Devices Meeting Washington D. C., 10-12 Dec. 2007 p891

  • [1]

    Gan X W, Wang X S, Zhang X 2001 Chin. J. Semicond. 22 1581 (in Chinese) [甘学温, 王旭社, 张兴 2001 半导体学报 22 1581]

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-13
  • 修回日期:  2012-12-27
  • 刊出日期:  2013-05-20

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071

摘要: 结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构, 通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布, 并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果, 分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响, 对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

English Abstract

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