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GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究

徐永年 张开明

GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究

徐永年, 张开明
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-06-07
  • 刊出日期:  2005-07-21

GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究

  • 1. 复旦大学物理系

摘要: 本文用有限集团的EHT方法研究了GaAs1-xPx(110)清洁表面的弛豫和电子态。出现三元合金的表面旋转弛豫角约为26°左右;当X≥0.25时,在禁带中靠近导带底处有空的本征表面态存在。

English Abstract

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