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二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

张晓丹 赵 颖 朱 锋 魏长春 麦耀华 高艳涛 孙 建 耿新华 熊绍珍

二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

张晓丹, 赵 颖, 朱 锋, 魏长春, 麦耀华, 高艳涛, 孙 建, 耿新华, 熊绍珍
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  • 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况.结果发现:薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变.制备的微晶硅薄膜,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多.另外,不同本底真空中的氧污染实验结果表明:微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系,因此要制备高质量的微晶硅材料,高的本底真空是必要条件.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划 (批准号:G2000028202, G2000028203)、教育部科学技术研究 重点项目(批准号:02167)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2002AA303261) 资助的课 题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-15
  • 修回日期:  2004-11-03
  • 刊出日期:  2005-02-05

二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划 (批准号:G2000028202, G2000028203)、教育部科学技术研究 重点项目(批准号:02167)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2002AA303261) 资助的课 题.

摘要: 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况.结果发现:薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变.制备的微晶硅薄膜,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多.另外,不同本底真空中的氧污染实验结果表明:微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系,因此要制备高质量的微晶硅材料,高的本底真空是必要条件.

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