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调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

冀子武 鲁 云 陈锦祥 三野弘文 秋本良一 嶽山正二郎

调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

冀子武, 鲁 云, 陈锦祥, 三野弘文, 秋本良一, 嶽山正二郎
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  • 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,
    • 基金项目: 日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(批准号:15034203)及基础研究(C) (批准号:15540310) 资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-08
  • 修回日期:  2007-06-09
  • 刊出日期:  2008-01-05

调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

  • 1. (1)产业技术综合研究所超高速光学器件研究实验室,茨城 305-8568,日本; (2)东京大学生产技术研究所,东京 153-8505,日本; (3)东京大学物性研究所,柏 277-8581,日本; (4)千叶大学工学部城市环境系统学科,千叶大学自然科学研究科,千叶 263-8522,日本
    基金项目: 

    日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(批准号:15034203)及基础研究(C) (批准号:15540310) 资助的课题.

摘要: 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,

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