| [1] |
曹文彧, 张雅婷, 魏彦锋, 朱丽娟, 徐可, 颜家圣, 周书星, 胡晓东. 超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用. 物理学报,
2024, 73(7): 077201.
doi: 10.7498/aps.73.20231677
|
| [2] |
吴洋, 胡晓, 刘博文, 顾溢, 查访星. In0.52Al0.48As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象. 物理学报,
2024, 73(2): 027801.
doi: 10.7498/aps.73.20231339
|
| [3] |
周小红, 杨卿, 邹军涛, 梁淑华. 生长条件对Ga掺杂ZnO薄膜微观结构及光致发光性能的影响. 物理学报,
2015, 64(8): 087803.
doi: 10.7498/aps.64.087803
|
| [4] |
玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 艾尔肯, 王海娇, 曾骏哲. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究. 物理学报,
2015, 64(15): 154217.
doi: 10.7498/aps.64.154217
|
| [5] |
宿世臣, 吕有明, 梅霆. m面蓝宝石上ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及发光特性研究. 物理学报,
2011, 60(9): 096801.
doi: 10.7498/aps.60.096801
|
| [6] |
冀子武, 三野弘文, 小嵨映二, 秋本良一, 嶽山正二郎. 调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性. 物理学报,
2008, 57(5): 3260-3266.
doi: 10.7498/aps.57.3260
|
| [7] |
熊传兵, 江风益, 王 立, 方文卿, 莫春兰. 硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究. 物理学报,
2008, 57(12): 7860-7864.
doi: 10.7498/aps.57.7860
|
| [8] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 黄志明, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 郭少令, 褚君浩. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性. 物理学报,
2008, 57(4): 2481-2485.
doi: 10.7498/aps.57.2481
|
| [9] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 郭少令, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 褚君浩. 两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律. 物理学报,
2008, 57(6): 3818-3822.
doi: 10.7498/aps.57.3818
|
| [10] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 俞国林, 褚君浩. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应. 物理学报,
2008, 57(8): 5232-5236.
doi: 10.7498/aps.57.5232
|
| [11] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4143-4147.
doi: 10.7498/aps.56.4143
|
| [12] |
游 达, 许金通, 汤英文, 何 政, 徐运华, 龚海梅. p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究. 物理学报,
2006, 55(12): 6600-6605.
doi: 10.7498/aps.55.6600
|
| [13] |
徐耿钊, 梁 琥, 白永强, 刘纪美, 朱 星. 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究. 物理学报,
2005, 54(11): 5344-5349.
doi: 10.7498/aps.54.5344
|
| [14] |
徐晓华, 牛智川, 倪海桥, 徐应强, 张 纬, 贺正宏, 韩 勤, 吴荣汉, 江德生. 分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究. 物理学报,
2005, 54(6): 2950-2954.
doi: 10.7498/aps.54.2950
|
| [15] |
徐章程, 贾国治, 孙 亮, 姚江宏, 许京军, J. M. Hvam, 王占国. 亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱. 物理学报,
2005, 54(11): 5367-5371.
doi: 10.7498/aps.54.5367
|
| [16] |
王 茺, 陈平平, 周旭昌, 夏长生, 王少伟, 陈效双, 陆 卫. 压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱. 物理学报,
2005, 54(7): 3337-3341.
doi: 10.7498/aps.54.3337
|
| [17] |
袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究. 物理学报,
2004, 53(10): 3521-3524.
doi: 10.7498/aps.53.3521
|
| [18] |
缪中林, 陈平平, 陆卫, 徐文兰, 李志锋, 蔡玮颖. GaAs/Al1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究. 物理学报,
2001, 50(1): 111-115.
doi: 10.7498/aps.50.111
|
| [19] |
李志锋, 陆 卫, 刘兴权, 沈学础, Y.FU, M.WILLANDER, H.H.TAN, C.JAGADISH. V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究. 物理学报,
2000, 49(9): 1809-1813.
doi: 10.7498/aps.49.1809
|
| [20] |
陈张海, 胡灿明, 陈建新, 史国良, 刘普霖, 沈学础, 李爱珍. 赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究. 物理学报,
1998, 47(6): 1018-1025.
doi: 10.7498/aps.47.1018
|
下载:
