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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

王宝义 张仁刚 张 辉 万冬云 魏 龙

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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

王宝义, 张仁刚, 张 辉, 万冬云, 魏 龙

Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films pr epared by sulfurizing ZnO films

Wang Bao-Yi, Zhang Ren-Gang, Zhang Hui, Wan Dong-Yun, Wei Long
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-02
  • 修回日期:  2004-09-08
  • 刊出日期:  2005-02-05

ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响

  • 1. 中国科学院高能物理研究所, 北京 100049
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10275076) 资助的课题.

摘要: 采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后经过不同条件退火和在H22S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜. 用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计 对ZnS薄膜样品进行了分析. 结果表明, ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退 火条件. 真空和纯O22中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS . 而在空气 和纯N22中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS, 在可见光范围内的光透过率

English Abstract

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