搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管

田金朋 王硕培 时东霞 张广宇

引用本文:
Citation:

垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管

田金朋, 王硕培, 时东霞, 张广宇

Vertical short-channel MoS2 field-effect transistors

Tian Jin-Peng, Wang Shuo-Pei, Shi Dong-Xia, Zhang Guang-Yu
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  280
  • PDF下载量:  12
  • 被引次数: 0
出版历程

垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管

  • 1)(中国科学院物理研究所, 北京 100190)
  • 2)(中国科学院大学物理科学学院, 北京 100190)
  • 3)(松山湖材料实验室, 东莞 523808)

摘要: 基于二维材料的场效应晶体管在超大规模集成(very large-scale integration,简记为VLSI)技术方面具有非常大的应用潜力,因此开发高性能的短沟道二维半导体场效应晶体管是构建VLSI的必经之路。对于二维材料,获得10纳米以下沟道长度的二维半导体晶体管难度较大,目前很少有稳定制备亚10纳米二维半导体晶体管的方法。在这里我们报导一种使用石墨烯作为接触材料,氮化硼作为间隔,可以稳定制备垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管的方法。基于此方法,我们制备了8纳米氮化硼间隔的垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管。该器件展现出良好的开关特性,在不同的源漏电压下其开关比大于107;同时关态电流小于100 fA/μm,对源漏直接隧穿效应有很好的抑制作用。此外,该方法同样适用于其它二维半导体短沟道晶体管的制备,为快速筛选出可适用于VLSI的二维材料提供了一种有效途径。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回