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												doi: 10.7498/aps.71.20211797 | 
							
									| [2] | 王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊, 邹宇, 付宝勤. 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.71.20211434 | 
							
									| [3] | 鲁媛媛, 鹿桂花, 周恒为, 黄以能. 锂辉石/碳化硅复相陶瓷材料的制备与性能. 物理学报,
												2020, 69(11): 117701.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200232 | 
							
									| [4] | 华叶, 万红, 陈兴宇, 吴平, 白书欣. 表面微结构对碳化硅晶须掺杂石墨阴极爆炸电子发射性能的影响. 物理学报,
												2016, 65(16): 168102.
												
												doi: 10.7498/aps.65.168102 | 
							
									| [5] | 邹小翠, 吴木生, 刘刚, 欧阳楚英, 徐波. β-碳化硅/碳纳米管核壳结构的第一性原理研究. 物理学报,
												2013, 62(10): 107101.
												
												doi: 10.7498/aps.62.107101 | 
							
									| [6] | 房超, 刘马林. 包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究. 物理学报,
												2012, 61(9): 097802.
												
												doi: 10.7498/aps.61.097802 | 
							
									| [7] | 高尚鹏, 祝桐. 基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算. 物理学报,
												2012, 61(13): 137103.
												
												doi: 10.7498/aps.61.137103 | 
							
									| [8] | 周耐根, 洪涛, 周浪. MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为. 物理学报,
												2012, 61(2): 028101.
												
												doi: 10.7498/aps.61.028101 | 
							
									| [9] | 秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊. 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究. 物理学报,
												2011, 60(6): 066101.
												
												doi: 10.7498/aps.60.066101 | 
							
									| [10] | 张洪华, 张崇宏, 李炳生, 周丽宏, 杨义涛, 付云翀. 碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究. 物理学报,
												2009, 58(5): 3302-3308.
												
												doi: 10.7498/aps.58.3302 | 
							
									| [11] | 宋久旭, 杨银堂, 刘红霞, 张志勇. 掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究. 物理学报,
												2009, 58(7): 4883-4887.
												
												doi: 10.7498/aps.58.4883 | 
							
									| [12] | 林  涛, 陈治明, 李  佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌. 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究. 物理学报,
												2008, 57(9): 6007-6012.
												
												doi: 10.7498/aps.57.6007 | 
							
									| [13] | 汤晓燕, 张义门, 张鹤鸣, 张玉明, 戴显英, 胡辉勇. 碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试. 物理学报,
												2004, 53(9): 3225-3228.
												
												doi: 10.7498/aps.53.3225 | 
							
									| [14] | 李宜德, 杜英磊, 李纪焕, 吴柏枚. 光声谱研究多孔碳化硅的能带特性. 物理学报,
												2003, 52(5): 1260-1263.
												
												doi: 10.7498/aps.52.1260 | 
							
									| [15] | 郭常霖. 属特殊结构系列的若干碳化硅多型体的晶体结构. 物理学报,
												1982, 31(10): 1369-1379.
												
												doi: 10.7498/aps.31.1369 | 
							
									| [16] | 冯锡淇, 骆宾章. 升华外延碳化硅p-n结的性质. 物理学报,
												1980, 29(1): 1-10.
												
												doi: 10.7498/aps.29.1 | 
							
									| [17] | 虞孝栋, 吴道怀, 唐福娣, 谭浩然. 用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题. 物理学报,
												1966, 22(9): 976-981.
												
												doi: 10.7498/aps.22.976 | 
							
									| [18] | 冯锡淇, 骆宾章, 唐福娣, 张雁行, 洪福根, 谭浩然. 用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应. 物理学报,
												1966, 22(9): 967-975.
												
												doi: 10.7498/aps.22.967 | 
							
									| [19] | 郭常霖, 唐士鑫. 侵蚀法测定碳化硅结构极性的研究. 物理学报,
												1966, 22(7): 831-835.
												
												doi: 10.7498/aps.22.831 | 
							
									| [20] | 郭常霖. 碳化硅的多型性. 物理学报,
												1965, 21(6): 1089-1104.
												
												doi: 10.7498/aps.21.1089 |