[1] |
陈池婷, 吴磊, 王霞, 王婷, 刘延君, 蒋军, 董晨钟. B2+和B+离子的静态偶极极化率和超极化率的理论研究. 物理学报,
2023, 72(14): 143101.
doi: 10.7498/aps.72.20221990
|
[2] |
刘伟, 平云霞, 杨俊, 薛忠营, 魏星, 武爱民, 俞文杰, 张波. 微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应. 物理学报,
2021, 70(11): 116801.
doi: 10.7498/aps.70.20202118
|
[3] |
罗长维, 仇猛淋, 王广甫, 王庭顺, 赵国强, 华青松. 利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化. 物理学报,
2020, 69(10): 102901.
doi: 10.7498/aps.69.20200029
|
[4] |
沈丹萍, 张晓东, 孙艳, 康亭亭, 戴宁, 褚君浩, 俞国林. 负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究. 物理学报,
2017, 66(24): 247301.
doi: 10.7498/aps.66.247301
|
[5] |
徐大庆, 张义门, 娄永乐, 童军. 热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响. 物理学报,
2014, 63(4): 047501.
doi: 10.7498/aps.63.047501
|
[6] |
秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊. 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究. 物理学报,
2011, 60(6): 066101.
doi: 10.7498/aps.60.066101
|
[7] |
刘显明, 李斌成, 高卫东, 韩艳玲. 离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究. 物理学报,
2010, 59(3): 1632-1637.
doi: 10.7498/aps.59.1632
|
[8] |
张洪华, 张崇宏, 李炳生, 周丽宏, 杨义涛, 付云翀. 碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究. 物理学报,
2009, 58(5): 3302-3308.
doi: 10.7498/aps.58.3302
|
[9] |
杨义涛, 张崇宏, 周丽宏, 李炳生. 铝镁尖晶石中He离子注入引起损伤的退火行为研究. 物理学报,
2008, 57(8): 5165-5169.
doi: 10.7498/aps.57.5165
|
[10] |
张 丽, 蒋昌忠, 任 峰, 陈海波, 石 瑛, 付 强. Ag-Cu离子注入玻璃后不同气氛退火的光吸收研究. 物理学报,
2004, 53(9): 2910-2914.
doi: 10.7498/aps.53.2910
|
[11] |
陈贵宾, 陆 卫, 蔡炜颖, 李志锋, 陈效双, 胡晓宁, 何 力, 沈学础. HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究. 物理学报,
2004, 53(3): 911-914.
doi: 10.7498/aps.53.911
|
[12] |
辛煜, 宁兆元, 程珊华, 陆新华, 甘肇强, 黄松. ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N2气氛中的热退火研究. 物理学报,
2002, 51(2): 439-443.
doi: 10.7498/aps.51.439
|
[13] |
王永谦, 陈维德, 陈长勇, 刁宏伟, 张世斌, 徐艳月, 孔光临, 廖显伯. 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响. 物理学报,
2002, 51(7): 1564-1570.
doi: 10.7498/aps.51.1564
|
[14] |
徐遵图, 徐俊英, 杨国文, 张敬明, 殷 涛, 赵红东, 廉 鹏, 沈光地. 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究. 物理学报,
1998, 47(6): 945-951.
doi: 10.7498/aps.47.945
|
[15] |
刘家璐, 张廷庆, 李建军, 赵元富. BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析. 物理学报,
1997, 46(8): 1580-1584.
doi: 10.7498/aps.46.1580
|
[16] |
许强, 王建宝, 袁健, 陆昉, 孙恒慧. 重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究. 物理学报,
1995, 44(3): 432-438.
doi: 10.7498/aps.44.432
|
[17] |
李晓雷, 陆昉, 孙恒慧, 黄庆红. 低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究. 物理学报,
1992, 41(6): 985-991.
doi: 10.7498/aps.41.985
|
[18] |
陈存礼, 李建年, 华文玉. 钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究. 物理学报,
1990, 39(7): 127-133.
doi: 10.7498/aps.39.127
|
[19] |
卢武星, 钱亚宏, 田人和, 王忠烈. MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除. 物理学报,
1990, 39(2): 254-260.
doi: 10.7498/aps.39.254
|
[20] |
莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星. 用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应. 物理学报,
1980, 29(9): 1214-1216.
doi: 10.7498/aps.29.1214
|