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退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

张锡健 马洪磊 王卿璞 马 瑾 宗福建 肖洪地 计 峰

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

张锡健, 马洪磊, 王卿璞, 马 瑾, 宗福建, 肖洪地, 计 峰
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-16
  • 修回日期:  2004-12-16
  • 刊出日期:  2006-01-20

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

  • 1. 山东大学物理与微电子学院,济南 250100
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:20020422056)资助的课题.

摘要: 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F

English Abstract

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