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应变Si/(001)S1-xGex本征载流子浓度模型

宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜

应变Si/(001)S1-xGex本征载流子浓度模型

宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-13
  • 修回日期:  2009-06-23
  • 刊出日期:  2010-03-15

应变Si/(001)S1-xGex本征载流子浓度模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.

摘要: 利用应变Si CMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si1-xGex材料能带结构出发,详细推导建立了300K时与Ge组分(x)相关的本征载流子浓度模型.该数据量化模型可为Si基应变器件物理的理解及器件的研究设计提供有价值的参考.

English Abstract

参考文献 (8)

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