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关于热生长SiO2薄膜厚度的测量

沈世纲 黄敞 于凤树

关于热生长SiO2薄膜厚度的测量

沈世纲, 黄敞, 于凤树
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出版历程
  • 收稿日期:  1963-02-19
  • 刊出日期:  2005-08-05

关于热生长SiO2薄膜厚度的测量

  • 1. 中国科学院

摘要: 在半导体硅器件的研究工作中,需要准确地测量和控制SiO2薄膜的厚度。由于干涉原理,SiO2薄膜在白光照射下呈现颜色。但薄膜厚度与颜色相应的单色光的波长并不成简单的函数关系。本文叙述了用干涉显微镜测量热生长SiO2薄膜厚度的方法。由测量结果得到SiO2薄膜的折射率以及SiO2和硅界面及空气和硅界面反射相移之差。并且测量了一组标准样品的薄膜厚度,列出了薄膜厚度与干涉颜色的对应关系。所得结果与从Rollet数据所推算的结果大致符合。样品厚度还包括了Rollet数据中所未包括的范围(3300—4200?)。

English Abstract

参考文献 (1)

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