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掺铋BaF2晶体的制备及其近红外发光研究

周朋 苏良碧 李红军 喻军 郑丽和 杨秋红 徐军

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掺铋BaF2晶体的制备及其近红外发光研究

周朋, 苏良碧, 李红军, 喻军, 郑丽和, 杨秋红, 徐军

Preparation and near-infrared luminescence properties of Bi-doped BaF2 crystal

Zhou Peng, Su Liang-Bi, Li Hong-Jun, Yu Jun, Zheng Li-He, Yang Qiu-Hong, Xu Jun
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  • 通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961 nm,半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2晶体的近红外发光, 发光峰位于1135 nm,半高宽192 nm.讨论了Bi2O3和BiF3掺杂BaF2晶体的红外发光的机理.
    Bi2O3:BaF2 and BiF3:BaF2 crystals were prepared by TGT (temperature gradient method). Near-infrared broadband luminescence was observed in as-grown Bi2O3:BaF2 crystal. The emission band peaks at 961 nm in the range of 850—1250 nm,with FWHM about 202 nm. The luminescence of Bi2+ and Bi3+ ions in the visible region was observed in BiF3:BaF2 crystal, but there was no near-infrared emission. Then the BiF3: BaF2 crystal was exposed to γ-rays in order to reduce valence states of Bi ions. Near-infrared broadband luminescence was observed in γ-irradiated BiF3:BaF2 crystal. The emission band peaks at 1135 nm in the range of 850—1500 nm,with FWHM about 192 nm. The mechanisms of near-infrared luminescence in Bi2O3:BaF2 crystals and γ-irradiated BiF3:BaF2 crystals were discussed.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60778036)和上海市科技委员会自然科学基金(批准号:08ZR1421700)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-25
  • 修回日期:  2009-07-20
  • 刊出日期:  2010-02-05

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