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总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究

郑齐文 余学峰 崔江维 郭旗 任迪远 丛忠超

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总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究

郑齐文, 余学峰, 崔江维, 郭旗, 任迪远, 丛忠超

Research on SRAM functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation

Zheng Qi-Wen, Yu Xue-Feng, Cui Jiang-Wei, Guo Qi, Ren Di-Yuan, Cong Zhong-Chao
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-30
  • 修回日期:  2013-01-30
  • 刊出日期:  2013-06-05

总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究

  • 1. 中国科学院 新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 中国科学院大学, 北京 100049

摘要: 本文对静态随机存储器 (SRAM) 总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试. 利用不同测试图形覆盖的出错模式不同, 通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异, 以及对失效存储单元单独进行测试, 研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式. 研究表明: 器件的功能失效模式为数据保存错误 (Data retention fault) 且数据保存时间具有离散性, 引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元. 通过对存储单元建立简化的等效电路图, 分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因, 并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响.

English Abstract

参考文献 (18)

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