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具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌

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具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌

Study on the strained SiGe p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with polycrystalline silicon germanium gate threshold voltage

Liu Xiang-Yu, Hu Hui-Yong, Zhang He-Ming, Xuan Rong-Xi, Song Jian-Jun, Shu Bin, Wang Bin, Wang Meng
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-25
  • 修回日期:  2014-07-24
  • 刊出日期:  2014-12-05

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