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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

刘艳松 陈 铠 乔 峰 黄信凡 韩培高 钱 波 马忠元 李 伟 徐 骏 陈坤基

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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

刘艳松, 陈 铠, 乔 峰, 黄信凡, 韩培高, 钱 波, 马忠元, 李 伟, 徐 骏, 陈坤基

The growth model and experimental validation of size-controlled nanocrystalline silicon

Liu Yan-Song, Chen Kai, Qiao Feng, Huang Xin-Fan, Han Pei-Gao, Qian Bo, Ma Zhong-Yuan, Li Wei, Xu Jun, Chen Kun-Ji
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-22
  • 修回日期:  2006-03-07
  • 刊出日期:  2006-05-05

尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60471021,90301009,60508009)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)及中国科学院微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室开放课题资助项目.

摘要: 基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究. 建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34 nm. 在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

English Abstract

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