搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高迁移率聚合物薄膜晶体管

刘玉荣 王智欣 虞佳乐 徐海红

引用本文:
Citation:

高迁移率聚合物薄膜晶体管

刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红

High mobility polymer thin-film transistors

Liu Yu-Rong, Wang Zhi-Xin, Yu Jia-Le, Xu Hai-Hong
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6337
  • PDF下载量:  1648
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-21
  • 修回日期:  2009-04-30
  • 刊出日期:  2009-06-05

高迁移率聚合物薄膜晶体管

  • 1. (1)华南理工大学电子与信息学院,广州 510640; (2)华南理工大学应用物理系,广州 510640
    基金项目: 广东省自然科学基金(批准号: 8451064101000257)资助的课题.

摘要: 以高掺杂Si单晶片作为栅电极, 热生长SiO2作为栅介质层, 聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层, Au作为源、漏电极, 并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性, 在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管. 结果表明, 通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能, 器件的场效应迁移率高达0.02 cm2/(Vs), 开关电流比大于105.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回