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用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

陈可明 金高龙 盛篪 周国良 蒋维栋 张翔九 俞鸣人

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用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人

PHASE-LOCKED EPITAXY OF Ge/Si SUPERLATTICES BY USING RHEED INTENSITY OSCILLATIONS

CHEN KE-MING, JIN GAO-LONG, SHENG CHI, ZHOU GUO-LIANG, JIANG WEI-DONG, ZHANG XIANG-JIU, YU MING-REN
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-05-08
  • 刊出日期:  2005-06-22

用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海,200433
    基金项目: 国家自然科学基金资助的课题

摘要: 观察了Ge,Ge/Si交替外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象,并由此研究了Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Ge,Ge/Si超薄叠层的生长行为和生长特性。利用RHEED强度振荡,锁相控制生长了Ge(2ML)/Si(2ML),Ge(4ML)/Si(4ML)超薄超晶格。

English Abstract

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