微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (10): 7288-7293
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微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究
申陈海, 卢景霄, 陈永生
郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
High rate growth and electronic property of μc-Si:H
Shen Chen-Hai, Lu Jing-Xiao, Chen Yong-Sheng
郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州 450052

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