半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

黎华; 韩英军; 谭智勇; 张戎; 曹俊诚

doi:10.7498/aps.59.2169

摘要

采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹（THz）量子级联激光器（QCL）有源区结构，研究了半绝缘等离子体波导THz QCL的器件工艺，采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为32 THz，10 K下的阈值电流密度为275 A/cm2.

关键词:

The active region of GaAs/AlGaAs bound-to-continuum terahertz quantum-cascade laser （THz QCL） is grown by gas-source molecular beam epitaxy. The device fabrication process of semi-insulating surface-plasmon THz QCL is studied in detail. The electrical and optical characteristics of the fabricated THz QCL device are measured using a far-infrared Fourier transform infrared spectrometer with a deuterated triglycerine sulfate far-infrared detector. At 10 K，the measured lasing frequency is 32 THz and the threshold current density is 275 A/cm2.

Keywords:

作者及机构信息

1.
信息功能材料国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2007CB310402），国家自然科学基金（批准号：60721004，60606027）、中科院重要方向项目（批准号：KGCX2-YW-231），中科院重大基金和“百人计划”资助的课题.

Authors and contacts

1.
信息功能材料国家重点实验室，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050

参考文献

[1]	［1］Semtsiv M P，Wienold M，Dressler S，Masselink W T 2007 Appl. Phys. Lett. 90 051111
[2]	［2］Walther C，Fischer M，Scalari G，Terazzi R，Hoyler N，Faist J 2007 Appl. Phys. Lett. 91 131122
[3]	［3］Faist J，Scalari G，Walther C，Fischer M 2007 Materials Research Society Spring Meeting，San Fransisco，California，April 2007
[4]	［4］Faist J，Capasso F，Sivco D L，Sirtori C，Hutchinson A L，Cho A Y 1994 Science 264 553
[5]	［5］Iotti R C，Rossi F 2001 Phys. Rev. Lett. 87 146603
[6]	［6］Cao J C 2003 Phys. Rev. Lett. 91 237401
[7]	［7］Zhang Y H，Wang C 2006 Chin. Phys. 15 649
[8]	［8］Wang C，Zhang Y H 2006 Chin. Phys. 15 2120
[9]	［9］Ma M R，Chen Y L，Wang L M，Wang C 2008 Chin. Phys. B 17 1854
[10]	］Khler R，Tredicucci A，Beltram F，Beere H E，Linfield E H，Davies A G，Ritchie D A，Iotti R C，Rossi F 2002 Nature 417 156
[11]	］Williams B S，Kumar S，Hu Q，Reno J L 2006 Electron. Lett. 42 89
[12]	］Williams B S，Kumar S，Hu Q，Reno J L 2005 Opt. Express 13 3331
[13]	］Kumar S，Hu Q，Reno J L 2009 Appl. Phys. Lett. 94 131105
[14]	］Li H，Cao J C，Lü J T，Han Y J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 221105
[15]	］Li H，Cao J C and Lu J T 2008 J. Appl. Phys. 103 103113
[16]	］Barbieri S，Alton J，Beere H E，Fowler J，Linfield E H，Ritchie D A 2004 Appl. Phys. Lett. 85 1674
[17]	］Li H，Cao J C，Han Y J，Guo X G，Tan Z Y，Lü J T，Luo H，Laframboise S R，Liu H C 2008 J. Appl. Phys. 104 043101

施引文献

[1]	［1］Semtsiv M P，Wienold M，Dressler S，Masselink W T 2007 Appl. Phys. Lett. 90 051111
[2]	［2］Walther C，Fischer M，Scalari G，Terazzi R，Hoyler N，Faist J 2007 Appl. Phys. Lett. 91 131122
[3]	［3］Faist J，Scalari G，Walther C，Fischer M 2007 Materials Research Society Spring Meeting，San Fransisco，California，April 2007
[4]	［4］Faist J，Capasso F，Sivco D L，Sirtori C，Hutchinson A L，Cho A Y 1994 Science 264 553
[5]	［5］Iotti R C，Rossi F 2001 Phys. Rev. Lett. 87 146603
[6]	［6］Cao J C 2003 Phys. Rev. Lett. 91 237401
[7]	［7］Zhang Y H，Wang C 2006 Chin. Phys. 15 649
[8]	［8］Wang C，Zhang Y H 2006 Chin. Phys. 15 2120
[9]	［9］Ma M R，Chen Y L，Wang L M，Wang C 2008 Chin. Phys. B 17 1854
[10]	］Khler R，Tredicucci A，Beltram F，Beere H E，Linfield E H，Davies A G，Ritchie D A，Iotti R C，Rossi F 2002 Nature 417 156
[11]	］Williams B S，Kumar S，Hu Q，Reno J L 2006 Electron. Lett. 42 89
[12]	］Williams B S，Kumar S，Hu Q，Reno J L 2005 Opt. Express 13 3331
[13]	］Kumar S，Hu Q，Reno J L 2009 Appl. Phys. Lett. 94 131105
[14]	］Li H，Cao J C，Lü J T，Han Y J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 221105
[15]	］Li H，Cao J C and Lu J T 2008 J. Appl. Phys. 103 103113
[16]	］Barbieri S，Alton J，Beere H E，Fowler J，Linfield E H，Ritchie D A 2004 Appl. Phys. Lett. 85 1674
[17]	］Li H，Cao J C，Han Y J，Guo X G，Tan Z Y，Lü J T，Luo H，Laframboise S R，Liu H C 2008 J. Appl. Phys. 104 043101

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