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近年来, 铅基卤素钙钛矿因其制备工艺简单、载流子扩散距离长以及离子迁移速率快等优点而被应用于阻变存储器. 然而, 铅基卤素钙钛矿结构中的铅对人类健康与环境保护存在威胁, 限制了铅基卤素钙钛矿在数据存储领域的实际应用. 研究者们针对铅基钙钛矿铅毒性的问题展开了一系列研究. 其中, 非铅卤素钙钛矿因不含铅而被认为是最有前景的下一代新型阻变存储介质材料. 最近几年, 锡基、铋基、锑基和铜基等非铅卤素钙钛矿被引入阻变存储器领域. 本文系统地综述了非铅卤素钙钛矿材料及其阻变性能, 归纳了非铅卤素钙钛矿的阻变性能及其阻变机理, 指出了非铅卤素钙钛矿材料应用于阻变存储器存在的关键问题, 为进一步研究非铅钙钛矿阻存储器提供了参考.With the rapid development of the information age, the demand for information storage capacity and miniaturization of memory units has been being increased. However, the commonly used silicon-based flash memory has nearly approached to its physical limit. The resistive switching random access memory (ReRAM) has become one of the promising candidates for the next-generation non-volatile memory due to its simple structure, fast operation speed, excellent flexibility, and long endurance. Recently, we witnessed that the lead halide perovskites, as hot star materials, have been widely used in optoelectronic fields owning to their advantages of low cost, excellent photoelectric properties, and solution process ability. Moreover, the lead halide perovskite has been successfully used as the active layer in ReRAM device because of its tunable bandgap, long charge carrier diffusion length, fast ion migration, and high charge carrier mobility. Whereas the toxicity of lead in halide perovskite is a very horrible problem in lead halide perovskite-based ReRAM devices. The lead-free halide perovskite is considered to be the most promising material for perovskite-based ReRAM devices because it does not contain lead element. Most recently, a large number of scientists from different groups have begun to study lead-free perovskite-based ReRAM devices. For example, tin, bismuth, antimony, and copper-based halide perovskite materials have been utilized in ReRAM devices and exhibited excellent resistance switching (RS) performances. Here in this paper, the recent development of lead-free perovskite and its RS performance are reviewed, including lead-free halide perovskite materials, RS performances, and RS mechanisms of lead-free perovskite-based ReRAM. Finally, the key problems and development prospects of lead-free perovskite-based ReRAM are also presented, which provides a fundamental step towards developing the RS performance based on lead-free halide perovskites.
1. 引 言
20世纪末, 由Feynman[1]提出的使用一种人工可控的量子系统来模拟另一种现实中真实的量子系统的研究方案——量子模拟, 在凝聚态材料研究领域具有广阔的应用前景. 特别地, 作为一种新型思路, 量子模拟方法可以避免经典计算机在处理多体量子态时面临的数据存储困难[2]. 因此, 在人造量子系统中进行已知现象的演示, 或未知现象的探索已经成为凝聚态物理量子模拟研究的重要方向.
规范势理论在凝聚态物理的发展中充当十分重要的角色. 20世纪末的贝里相位[3]、整数[4]、分数[5,6]量子霍尔效应, 以及21世纪初的量子自旋霍尔效应[7-11]和拓扑绝缘体[12], 都得益于规范势的发展, 激起了在量子模拟中引入规范势的研究. 其中, 比较突出的是冷原子平台[13], 例如利用空间变化的激光与原子内态的耦合可以产生人造磁场[14-18], 如果进一步控制失谐量随时间变化甚至可以产生人造电场[16]. 但在集成化方面, 冷原子平台还面临着不小的困难. 而超导量子电路[19-21]则因传承了传统的微电子工艺, 在集成方面享有独特的优势, 这有望催生面向量子模拟的专用超导量子芯片. 因而立足此平台开展关于规范势的量子模拟研究具有难以估量的应用前景.
自1999年单个电荷量子比特中呈现出量子振荡[22]后, 多比特研究一直在追逐比特参数一致性以及良好相干性的过程中前进. 相应地, 基于超导量子电路的规范势研究也经历了从单比特到多比特的过程. 如何在格点之间产生规范势也是限制多比特下规范势研究的一个难点. 对于单比特系统而言, 研究重心主要集中在动量空间, 即利用量子比特哈密顿量的可调性来研究绝热变化下的贝里相位、陈数(或缠绕数)以及拓扑性质[23-27]. 随着高品质芯片中比特数目的有效提高[28], 在多比特构造的格点空间中研究规范势诱导的拓扑效应的报导越来越多. 这也得益于合成格点间有效磁通(阿贝尔规范势)的若干方案被相继提出, 例如周期调制量子比特频率[29-31]以及利用约瑟夫森结的非线性[32-34]等思路. 较典型地, 2017年, Roushan等[34]在三角形格点原包中利用周期调制的电感耦合器实现了光子的有效磁通, 并观察到了时间反演对称破缺诱导的单光子态与单空穴态的手性输运现象. 由于此三角形原包可看作实现分数量子霍尔效应的基本单元, 此研究为实现最终的二维分数量子霍尔效应奠定实验基础.
类似地, 由于正方格点原包是整数量子霍尔效应的基本单元, 受文献[34]启发, 本文将研究有效磁通对正方形格点原包中量子态的影响. 考虑利用电感耦合器产生有效磁通, 系统研究正方格点中单粒子本征态、单空穴本征态、单粒子态以及单空穴态的制备方法, 输运性质以及测量方案. 同时, 将根据主流实验参数考虑环境对这些过程的影响. 虽然调制比特频率的方法产生有效磁通对样品制备的要求简单, 但耦合器对比特间的相互作用控制更加完美, 在需要精确开关比特耦合的场景更有优势. 本工作为研究规范势下更复杂模型中的量子行为, 特别是整数量子霍尔效应, 提供重要的基础参考数据.
2. 理论模型
如图1所示, 本文研究的正方格点体系由传输子量子比特以及耦合器构成. 其中, 传输子量子比特由超导量子干涉仪(SQUID), 分流电容
Cj 与自感L0 构成. 电感耦合器由约瑟夫森结LTj 与自感L0 组成的环路构成, 并且可通过外部磁通Φext;j,j+1 进行控制. 借助于量子比特与耦合器之间的互感M0 , 比特之间可形成受Φext;j,j+1 控制的等效耦合. 如果进一步考虑4个量子比特分别被经典场(图中未明确标出)驱动, 则经过一些列正则量子化与二能级近似操作, 体系的哈密顿量可以表示为图 1 四量子比特电路结构示意图. 在该示意图中量子比特是由电容、电感和约瑟夫森结组成, 而耦合器由电感与约瑟夫森结组成的环路构成. 相邻两个量子比特之间通过耦合器实现耦合, 每一个耦合器可以调节外加磁通来实现可调耦合. 其中, 表示量子比特,Qj 与Lj (j = 1, 2, 3, 4)都代表约瑟夫森结电感,LTj 代表电容,Cj 代表电感,L0 表示相邻电感之间的互感M0 Fig. 1. Schematic diagram of the four qubit circuit structure. In this diagram, a qubit is composed of a capacitor, an inductance and a Josephson junction, while a coupler is composed of a loop consisting of an inductance and a Josephson junction. The coupling between two adjacent qubits is realized by a coupler, where the external magnetic flux can be tuned to achieve adjustable coupling. Here, stands for a qubit,Qj andLj (j = 1, 2, 3, 4) stand for Josephson junction inductance,LTj stands for the capacitance,Cj stands for the inductance,L0 denotes the mutual inductance between adjacent inductances.M0 H=4∑j=1ℏωj2σzj+4∑j=1ℏgj,j+1(t)(σ+j+σ−j)(σ+j+1+σ−j+1)+4∑j=1[ℏΩj2ei(νjt+φj)σ−j+H.c.]. (1) 为自洽起见, 约定在(1)式的下标中, 如果
j=4 , 应取j+1=1 . 这里选取量子比特Q1 与Q3 完全相等, 量子比特Q2 与Q4 完全相等,ωj=(√8EC;jEJ;j−EC;j)/ℏ 代表量子比特Qj 从基态|gj⟩ 到激发态|ej⟩ 的跃迁频率,σzj=|ej⟩⟨ej|−|gj⟩⟨gj| 为泡利算符,σ+j=|ej⟩⟨gj| (σ−j=|gj⟩⟨ej| )为量子比特Qj 的上升(下降)算符,Ωj=Cc|Vin|√2ωjℏCJ;j ,νj 与ϕj=−arg{Vin}−π/2 分别代表经典场的驱动强度、频率以及相位. 此外耦合器产生的比特间耦合强度为gj,j+1=12M20√ωjωj+1√LJ;jLJ;j+1LTjcos(Φext;j,j+1), 其大小受偏置磁通
Φext;j,j+1 控制. 其中Φ0 表示磁通量子,EC;j=e2/(2CJ;j) 表示约瑟夫森电荷能, e表示元电荷量,EJ;j=[Φ0/(2π)]2/LJ;j 表示约瑟夫森能,LJ;j 表示量子比特线性电感,CJ;j 表示量子比特的电容,Cc 表示施加驱动场耦合电容,Vin 表示入射电压复振幅,M0 是相邻电感L0 之间的互感,LT;j 表示约瑟夫森结线性电感. 1)当Φext;j,j+1 仅含静磁场时, 可以控制耦合的开关[35,36]. 例如, 当gj,j+1(t)≡gj,j+1≠0 时, 比特间耦合打开; 当gj,j+1(t)≡0 时, 比特间耦合关断. 2)而当Φext;j,j+1 包含时变磁场时, 可以产生复数跳跃项[34]或双粒子激发(湮灭)[37]. 后面可知, 前者是合成有效磁通[38]的基本原理, 后者可用于单空穴态的制备. 由此可见, 调控经典场以及比特间耦合强度可以来控制哈密顿量H. 借助于此, 将围绕单粒子本征态, 单空穴本征态, 单粒子态以及单空穴态展开具体研究.3. 单粒子本征态和单空穴本征态
要产生正方格点中的有效磁通, 则需对耦合器施加时变偏置磁通, 使得耦合强度满足形式
gj,j+1(t)=2g0cos(Δj,j+1t+φj,j+1) [34]. 当耦合器的调制频率满足两端量子比特的频率差Δj,j+1=ωj+1−ωj 时, 根据旋波近似理论, 可以忽略σ+jσ+j+1 与σ−jσ−j+1 两项. 此外, 进一步调节耦合器调制相位, 使其满足φj,j+1=ΦS/4 . 此时, 相互作用表象下的系统哈密顿量可以写为HI=Heff+4∑j=1(ℏΩj2e−i(ϵjt+ϕj)σ+j+H.c.). 其中, 有效哈密顿量为
Heff=4∑j=1ℏg0(σ+jσ−j+1eiΦS4+σ−jσ+j+1e−iΦS4), (2) 其描述了正方格点量子比特的耦合情况. (2)式可以映射为弱磁场下带电粒子的哈密顿量[38], 因此, 将这里的相位
ΦS=∑4j=1φj,j+1 称为穿过正方格点的有效磁通. 此外, 在驱动项中, 裸耦合强度为g0=M20√ωjωj+1/(2√LJ;jLJ;j+1LT) , 其中取LTj ≡ LT, 并且由于量子比特Q1与Q3完全相等, 量子比特Q2与Q4完全相等, 使得裸耦合强度相等; 驱动场与量子比特的频率差为ϵj=νj−ωj .为考察有效哈密顿量的本征态激发行为, 对量子比特的上升下降算符进行离散傅里叶变换,
σ+j=1√44∑n=1e−iknjΣ+n 以及σ−j=1√44∑n=1eiknjΣ−n . 其中,kn=(n−1)2π/4 称为波矢, n = 1, 2, 3, 4, 算符Σ+n (Σ−n )代表量子比特的集体上升(下降)算符. 这时可以得到HI=4∑n=1[ℏ˜ωnΣ+nΣ−n+(ℏAn2Σ+n+H.c.)], 其中
˜ωn=2g0cos(kn+Φs/4),An=1√44∑j=1eiknjΩje−i(ϵjt+ϕj). 利用量子比特的集体上升算符, 单粒子本征态可以表示为
|kn⟩=Σ+n|0⟩ , 这里|0⟩=|0000⟩ 表示(四比特)基态. 此后约定, 右矢|q1q2q3q4⟩ 中,qj=0 和qj=1 分别表示比特Qj 处于基态|gj⟩ 和激发态|ej⟩ .基于以上模型, 可以从基态
|0⟩ (可在关断比特间所有耦合及驱动场的条件下自然冷却获取) 出发, 制备单粒子本征态|kn⟩ . 具体方法为: 调节驱动场并使驱动频率νj 与量子比特Qj 的跃迁频率ωj 满足共振条件ϵj=˜ωn , 并使驱动强度与相位满足Ωje−iϕj=1√4e−iknjBn , 此时驱动项只剩下ℏBn2e−i˜ωntΣ+n+H.c. . 那么, 在强驱动条件下, 从初始时刻t0 施加一个π脉冲|Bn|(t1−t0)=π , 体系便可从基态|0⟩ 一次演化到单粒子本征态|kn⟩ . 这里, 强驱动条件是指驱动强度远大于量子比特的衰减率.考察单粒子本征态
|kn⟩ 在有效磁通ΦS 下的手性输运性质. 关闭量子比特的所有驱动场后, 系统演化只受Heff 约束. 如果定义粒子流算符Ij,j+1 表示单位时间由量子比特Qj 流向量子比特Qj+1 的粒子数, 那么它应满足如下的连续性方程, 即d(σ+jσ−j)dt=[σ+jσ−j,Heff]iℏ=Ij−1,j−Ij,j+1. (3) 经过简单计算, 可以得到粒子流算符的形式为
Ij,j+1=ig0(σ+jσ−j+1eiΦS4−H.c.). (4) 单粒子本征态
|kn⟩ 下的平均粒子流为⟨Ij,j+1⟩kn=⟨kn|Ij,j+1|kn⟩=−g04sin(kn+ΦS4) . 在图2中, 蓝色实线展示了裸耦合强度取g0/(2π)=4MHz 时, 平均粒子流在不同单粒子本征态|kn⟩ 下随有效磁通ΦS 的变化. 可以看到, 平均粒子流与有效磁通ΦS 呈正弦函数关系, 波矢kn 主要决定正弦函数的初始相位.图 2 当n分别取(a) 1, (b) 2, (c) 3, (d) 4时, 单粒子(空穴)本征态 (|kn⟩ )下的平均粒子(空穴)流|kn⟩h (⟨Ij,j+1⟩kn )随有效磁通⟨Ij,j+1⟩h,kn 的变化曲线. 取裸耦合强度ΦS . 此外, 蓝色实线(红色虚线)代表平均粒子(空穴)流g0/(2π)=4MHz Fig. 2. Average particle (hole) current (⟨Ij,j+1⟩kn ) in the single-particle (hole) eigenstate⟨Ij,j+1⟩h,kn (|kn⟩ ) against the effective magnetic flux|kn⟩h for n taking (a) 1, (b) 2, (c) 3, and (d) 4, respectively. We have taken the coupling strengthΦS . Additionally, the solid blue (dashed red) curves represent the particle (hole) current.g0/(2π)=4MHz 如果将处于基态的量子比特看作一个空穴的话, 那么系统同样存在单空穴本征态, 即只有一个量子比特处于基态的本征态. 这时,
|0⟩h=|1111⟩ 可以看做空穴的真空态, 并且σ+j (σ−j )可以看做空穴的湮灭(产生)算符σ+h,j (σh−h,j ). 那么, 相互作用表象下的系统哈密顿量可以写为HhI=Hheff+4∑j=1(ℏΩj2ei(ϵjt+ϕj)σ+h,j+H.c.). Hheff=4∑j=1ℏg0(σ+h,jσ−h,j+1e−iΦS4+σ−h,jσ+h,j+1eiΦS4), (5) 用来描述
−ΦS 磁通下空穴的有效哈密顿量. 经过变换σ−h,j=1√44∑n=1e−iknjΣ−h,n ,σ+h,j=1√44∑n=1eiknjΣ+h,n 之后,HhI=4∑n=1[ℏ˜ωnΣ+h,nΣ−h,n+(ℏAn2Σ−h,n+H.c.)] . 属于本征值ℏ˜ωn 的单空穴本征态为|kn⟩h=Σ+h|0⟩h . 要制备单空穴本征态主要分为两步. 首先, 以真空态|0000⟩ 为初态, 在关断比特耦合的情况下, 顺次对4个比特Q1 —Q4 施加π脉冲, 制备到空穴真空态|0⟩h . 然后, 打开耦合器形成有效磁通, 同时调节驱动场并使驱动频率νj 与量子比特Qj 的跃迁频率ωj 满足共振条件ϵj=−˜ωn , 并使驱动强度与相位满足Ωje−iϕj=e−iknjBn/√4 , 此时驱动项只剩下ℏBn2ei˜ωntΣ−h,n+H.c. . 那么, 在强驱动条件下, 从初始时刻t0 施加一个π脉冲|Bn|(t1−t0)=π , 体系便可从空穴真空态|0⟩h 一次演化到单空穴本征态|kn⟩ . 值得指出的是, 空穴真空态|0⟩h 的制备也可以通过调制耦合器达到. 首先, 打开Q1 —Q2 耦合, 改变耦合器偏置磁通使耦合强度满足形式g1,2(t)=2g0cos(Δ1,2t+φ1,2) , 其中,Δ1,2=ω1+ω2 . 根据旋波近似理论, 仅保留σ+1σ+2 与σ−1σ−2 两项. 这时, 仅需一个脉冲g0t=π2 , 体系便可从基态|0⟩ 到达量子态|1100⟩ . 接着同样只打开Q3 —Q4 耦合, 使耦合强度g3,4(t)=2g0cos(Δ3,4t+φ3,4) ,Δ3,4=ω3+ω4 . 这时仅保留σ+3σ+4 与σ−3σ−4 两项. 类似地, 只需一个脉冲g0t=π2 , 便可获取空穴真空态|0⟩h .类似地, 通过考察空穴的连续性方程, 同样可以求得空穴流算符为
Ihj,j+1=ig0(σ+h,jσ−h,j+1e−iΦS4−H.c.). (6) 那么, 在本征态
|kn⟩h 下空穴流的平均值为⟨Ij,j+1⟩h,kn=h⟨kn|Ihj,j+1|kn⟩h=g04sin(kn+ΦS4)=−⟨Ij,j+1⟩kn. 可见, 在属于相同本征值的单粒子本征态与单空穴本征态下, 平均粒子流与平均空穴流方向相反, 如图2中红色虚线所示. 这种相反的空穴与粒子流, 可以从时间反演的角度来进行深度解释. 暂不考虑粒子态和空穴态带来的物理上的区别, 仅在数学上将所有的算符(量子态)都看成对应的矩阵(向量), 亦即将粒子态基矢
|q1q2q3q4⟩ 与空穴态基矢|q1q2q3q4⟩h 进行一一映射. 在后者中,qj=0 与qj=1 分别表示量子比特Qj 处于激发态和基态. 这时, 对体系有效哈密顿量的粒子-空穴操作之后, 空穴的有效哈密顿量Hheff 与粒子的有效哈密顿量Heff 互为时间反演, 即Hheff=THeffT−1 . 其中T为时间反演算符, 此处单指取复共轭. 因此, 属于相同本征值2ℏg0cos(kn+ΦS4) 的单空穴本征态与单粒子本征态必互为时间反演, 即|kn⟩h=T|kn⟩T−1 , 这可由本征态具体表达式轻易验证. 另一方面, 发现粒子流与空穴流算符满足关系Ihj,j+1=−TIj,j+1T−1 . 因此, 对于平均粒子流, 可得⟨Ij,j+1⟩h,kn=h⟨kn|Ihj,j+1|kn⟩h=(T⟨kn|T−1)(−TIj,j+1T−1)(T|kn⟩T−1)=−T⟨kn|Ij,j+1|kn⟩T−1=−⟨Ij,j+1⟩kn, 该式最后利用了平均粒子流是实数的性质. 这就从时间反演的角度解释了为什么在属于相同本征值的单粒子与单空穴本征态下, 平均粒子流与平均空穴流互为相反数. 特别地, 当有效磁通
ΦS 为零时, 有效哈密顿量满足时间反演对称, 此时, 有效哈密顿量Heff=Hh,eff , 且均在本征值ℏ˜ωn 处有两个简并的本征态|kn⟩ 与|kn⟩h .4. 单粒子态
单粒子态指只有一个量子比特被激发的态, 可表示为
|j⟩=σ+j|0⟩ , 其中j取值1—4. 以单粒子态|1⟩ 为例, 其制备可以由基态|0⟩ 一步获取. 这只需在关断比特间所有耦合的情况下, 只对量子比特Q1 施加共振驱动场, 即ν1=ω1 . 以t0 为初始时刻, 经历一个π脉冲Ω1(t1−t0)=π , 那么体系便可从初态|0⟩ 演化到单粒子态|1⟩ .现在, 考察单粒子态
|1⟩ 在有效磁通下的手性输运性质. 通过关闭量子比特所有驱动场, 并打开所有耦合器, 对体系合成(2)式中的有效哈密顿量Heff . 由于|1⟩ 不是有效哈密顿的本征态, 因此会进行时间演化. 经过时间t后的波函数可记为|ψ(t)⟩=exp(−iℏHefft)|1⟩ . 将初态展开为单粒子本征态(见第3节)的线性叠加, 即可获得波函数的具体形式:|ψ(t)⟩=4∑j=1ψj(t)|j⟩=12[cos(˜ω0t)+cos(˜ω3t)]|1⟩+12[−isin(˜ω0t)−sin(˜ω3t)]|2⟩+12[cos(˜ω0t)−cos(˜ω3t)]|3⟩+12[−isin(˜ω0t)+sin(˜ω3t)]|4⟩. (7) 如前所述,
˜ω0=2g0cosΦS4 和˜ω3=2g0sinΦS4 是有效哈密顿量Heff 的两个本征频率. 进一步算得任意时刻的平均粒子流⟨Ij,j+1(t)⟩1=⟨ψ1(t)|Ij,j+1|ψ1(t)⟩ ,可得⟨I12⟩1=−⟨I41⟩1=g02[cos(˜ω0t)+cos(˜ω3t)]×[cosΦS4sin(˜ω0t)+sinΦS4sin(˜ω3t)], (8) ⟨I23⟩1=−⟨I34⟩1=−g02[cos(˜ω0t)−cos(˜ω3t)]×[cosΦS4sin(˜ω0t)−sinΦS4sin(˜ω3t)]. (9) 观察平均粒子流表达式, 容易发现, 在
ΦS=π+2nπ (n为整数)时比特Q3 无粒子流入, 即⟨I23⟩1=⟨I43⟩1≡0 . 图3(a)—(g) (图3(i)—(p))给出了ΦS=π (ΦS=0 )时,Qj —Qj+1 间平均粒子流⟨Ij,j+1⟩1 和量子态|j⟩ 占据概率Pj=|ψj(t)|2 的演化曲线. 这里, 蓝色虚线(红色实线)排除(包含)了环境的影响. 其中, 环境的影响可以用下面的主方程来描述:图 3 当有效磁通取 (ΦS=π )时, 单粒子态ΦS=0 演化时间t后(a)—(d) [(i)—(l)]比特|1⟩ 之间的平均粒子流Qj−Qj+1 与(e)—(h) [(m)—(p)]量子态⟨Ij,j+1⟩1 上的占据概率|j⟩ 的变化曲线. 其中, 蓝色虚线(红色实线)指排除(包含)环境影响, 此外, 取裸耦合强度Pj MHz,g0/(2π)=4 弛豫速率Qj MHz,γj/(2π)≡0.05 退相速率Qj MHzΓj/(2π)≡0.1 Fig. 3. Variation curves of both the (a)–(d) [(i)–(l)] average –Qj particle currentQj+1 and (e)–(h) [(m)–(p)] occupation probability⟨Ij,j+1⟩1 on the quantum statePj for the effective magnetic flux taking|j⟩ (ΦS=π ) after the time t for which the single-particle stateΦS=0 evolves. Here, the dashed blue (solid red) curves represent the environment influence is exluded (included). Additionally, we specify the bare coupling strength|1⟩ MHz,g0/(2π)=4 relaxation rateQj MHz, andγj/(2π)≡0.05 dephasing rateQj MHz.Γj/(2π)≡0.1 ddtρ(t)=[Heff,ρ]iℏ+4∑j=1Lj[ρ], (10) 其中,
ρ(t) 为四比特体系的密度算符.Lj[ρ]=−γj⟨ej|ρ|ej⟩|ej⟩⟨ej|+γj⟨ej|ρ|ej⟩|gj⟩⟨gj|−Γj2⟨ej|ρ|gj⟩|ej⟩×⟨gj|−Γj2⟨gj|ρ|ej⟩|gj⟩⟨ej|, 这里,
Lj[ρ] 表示量子比特Qj 的林德布拉德耗散项,γj(Γj) 是量子比特Qj 的弛豫速率(退相速率). 取耦合器裸耦合强度g0/(2π)=4 MHz, 弛豫速率γj/(2π)≡0.05 MHz, 退相速率Γj/(2π)≡0.1 MHz. 结合上述的平均粒子流公式, 在图中可以很容易地看出粒子流⟨I12⟩1 与⟨I41⟩1 ,⟨I23⟩1 与⟨I34⟩1 在数值上互为相反数, 并且当有效磁通ΦS 为0 和π时, 平均粒子流和量子态演化存在着不同的情况. 当ΦS=π 时, 发现单粒子由Q1 同时向着Q2 和Q4 演化, 同时Q3 上的占据概率P3 始终为零. 观察平均粒子流也可以看出, 只有量子比特Q1—Q2和Q1—Q4之间出现非零的平均粒子流. 更直接地, 这是因为当ΦS=π 时,˜ω0=˜ω3=√2g0 , 进而由波函数公式(见(7)式)容易验证|3⟩ 上的概率振幅ψ3(t)≡0 . 另外, 非零的占据概率和平均粒子流均以频率2˜ω0 正弦振荡, 对应周期约为0.088 μs, 这也可以在图中明显发现. 当ΦS=0 时, 发现单粒子由Q1 同时沿着Q2 和Q4 向Q3 输运, 并且相邻两个量子比特之间均存在粒子流. 当ΦS 取0时,˜ω0=2g0 以及˜ω3=0 . 此时, 可以验证平均粒子流以˜ω0 ,2˜ω0 两种频率正弦振荡, 对应周期分别为0.125 μs和0.0625 μs, 这就是图中平均粒子流不是单纯正弦函数的原因. 类似的振荡情况也适用于占据概率P1 和P3 . 而P2 ,P4 则只以频率2˜ω0 做正弦振荡. 两种有效磁通下, 环境影响均可忽略不计, 这是由于在所取典型参数下, 系统处于强耦合区.5. 单空穴态
不同于单粒子态只有一个比特处于激发态, 单空穴态中只有一个量子比特处于基态, 其余的量子比特都处于激发态, 即
|j⟩h=σ−j|0⟩h . 假设初态为基态|0⟩ , 以|1⟩h 为例, 其制备可通过在关断比特间所有耦合时, 顺次对Q2 ,Q3 ,Q4 施加π脉冲来实现. 另一种制备方法可以利用耦合器的可调耦合. 仅打开Q2 —Q3 间耦合, 改变耦合器偏置磁通, 使得耦合强度满足g2,3(t)=2g0cos(Δ2,3t+φ2,3) [34], 其中,Δ2,3=ω2+ω3 . 根据旋波近似理论, 仅保留σ+2σ+3 与σ−2σ−3 两项. 这时, 仅需一个脉冲g0t=π/2 , 即可制备到|0110⟩ . 然后, 仅需对Q4 施加一个π脉冲, 即可制得单空穴态|1⟩h=|0111⟩ .对比单粒子态
|1⟩ , 继续考察单空穴态|1⟩h 在有效磁通下的手性输运性质, 此时继续对系统合成有效哈密顿量Heff ((2)式). 通过将单空穴态展开为单空穴本征态(第3节)的线性叠加, 可以计算任意时刻的波函数为|ψh(t)⟩=exp(−iℏHefft)|1⟩h , 结果为|ψh(t)⟩=4∑j=1ψhj(t)|j⟩h=12[cos(˜ω0t)+cos(˜ω3t)]|1⟩h+12[−isin(˜ω0t)+sin(˜ω3t)]|2⟩h+12[cos(˜ω0t)−cos(˜ω3t)]|3⟩h+12[−isin(˜ω0t)−sin(˜ω3t)]|4⟩h. (11) 利用此结果以及空穴流的表达式((6)式), 可以进一步计算任意时刻的平均空穴流
⟨Ij,j+1(t)⟩h,1=⟨ψh(t)|Ihj,j+1|ψh(t)⟩ , 可得⟨I12⟩h,1=−⟨I41⟩h,1=g02[cos(˜ω0t)+cos(˜ω3t)]×[cosΦS4sin(˜ω0t)+sinΦS4sin(˜ω3t)], (12) ⟨I23⟩h,1=−⟨I34⟩h,1=−g02[cos(˜ω0t)−cos(˜ω3t)]×[cosΦS4sin(˜ω0t)−sinΦS4sin(˜ω3t)], (13) 对比单粒子态波函数(7)式与单空穴态波函数(11)式, 容易发现波函数在各个基矢上的占据概率满足关系
Phj=Pj , 其中,Phj=|ψhj(t)|2 . 此外, 对于平均粒子流(8)式和(9)式与平均空穴流(12)式和(13)式, 可得⟨Ij,j+1⟩h,1=⟨Ij,j+1⟩1 . 采取与图3相同的参数,g0/(2π)=4 MHz,γj/(2π)=0.05 MHz,Γj/(2π)=0.1 MHz, 图4给出了Phj 以及⟨Ij,j+1⟩h,1 的演化曲线. 可见, 无论是单粒子态或单空穴态, 对应格点处的占据概率, 以及平均(粒子或空穴)流具有相同的含时演化曲线, 因此, 其具体细节的描述可参考第4节. 但这并不意味着单粒子态和单空穴态具有完全等价的演化行为, 这是因为波函数不一定完全等价, 例如通过仔细观察可发现, 虽然ψh1≡ψ1 ,ψh3≡ψ3 , 但是, 当且仅当ΦS=4nπ (n为整数)时,ψh2≡ψ2 ,ψh4≡ψ4 , 否则,ψh2≢ψ2 ,ψh4≢ψ4 . 可以验证, 条件ΦS=4nπ (n为整数)意味着哈密顿量满足空间对称Heff|Q2↔Q4 =Heff 以及时间反演对称THeffT−1=Heff .图 4 当有效磁通取 (ΦS=π )时, 单空穴态ΦS=0 演化时间t后(a)—(d) [(i)—(l)]比特|1⟩h —Qj+1之间的平均空穴流Qj 与(e)—(h) [(m)—(p)]量子态⟨Ij,j+1⟩h,1 上的占据概率|j⟩h 的变化曲线. 这里, 蓝色虚线(红色实线)指排除(包含)环境影响, 此外, 取裸耦合强度Phj MHz,g0/(2π)=4 弛豫速率Qj MHz,γj/(2π)≡0.05 退相速率Qj MHzΓj/(2π)≡0.1 Fig. 4. Variation curves of both the (a)–(d) [(i)–(l)] average –Qj hole currentQj+1 and (e)–(h) [(m)–(p)] occupation probability⟨Ij,j+1⟩1 on the quantum statePhj for the effective magnetic flux taking|j⟩h (ΦS=π ) after the time t for which the single-hole stateΦS=0 evolves. Here, the dashed blue (solid red) curves represent the environment influence is exluded (included). Additionally, we specify the bare coupling strength|1⟩h MHz,g0/(2π)=4 relaxation rateQj MHz, andγj/(2π)≡0.05 dephasing rateQj MHz.Γj/(2π)≡0.1 下文从空间对称性分析单粒子态与单空穴态具有相同格点占据概率以及平均(粒子或空穴)流的原因. 由于单粒子的上升(下降)算符等价于空穴的下降(上升)算符, 据前所述, 将空穴基矢
|q1q2q3q4⟩h 与粒子基矢|q1q2q3q4⟩ 进行一一映射, 且不考虑它们的区别. 这样, 有效磁通ΦS 下单空穴态|1⟩h 的运动可以等价为有效磁通−ΦS 下单粒子态|1⟩ 的运动, 即|ψh(t)⟩ΦS=|ψ(t)⟩−ΦS, (14) Hheff|ΦS=Heff|−ΦS, (15) Ihj,j+1|ΦS=Ij,j+1|−ΦS. (16) 对于有效磁通
ΦS 下单粒子态|1⟩ 的运动行为, 其含时波函数可以记为|ψ(t)⟩ΦS=∑4j=1ψj(t)|j⟩ . 现在, 将此体系沿Q1—Q3连线旋转角度π, 在原始坐标系下观测, 即可得到有效磁通−ΦS 下的单粒子态的运动. 旋转之后的波函数(算符)也可以通过将旋转之前的波函数(算符)表达式中关于Q2 和Q4 的量相互交换得到. 可以验证, 有效磁通±ΦS 下的有效哈密顿量, 粒子流算符, 以及含时波函数分别满足:|ψ(t)⟩−ΦS=|ψ(t)⟩ΦS,Q2↔Q4, (17) Heff|−ΦS=Heff|ΦS,Q2↔Q4, (18) Ij,j+1|−ΦS=Ij,j+1|ΦS,Q2↔Q4. (19) 通过对比(14)—(16)式与(17)—(19)式, 可以建立
ΦS 下单空穴态与单粒子的联系, 这时将去掉下标ΦS . 1)对于波函数,|ψh(t)⟩=ψ1(t)|1⟩h+ψ4(t)|2⟩h+ψ3(t)|3⟩h+ψ2(t)|4⟩h . 如果ΦS=4nπ , 则ψ2(t)≡ψ4(t) ,|ψh(t)⟩≡|ψ(t)⟩ ; 否则, 由于ψ2(t)≢ψ4(t) ,|ψh(t)⟩≢|ψ(t)⟩ . 前者导致了空间对称性Heff|Q2↔Q4=Heff , 这更意味着Hheff=Heff . 又因为初始时刻波函数|ψh(0)⟩=|0⟩h 与|ψ(0)⟩=|0⟩ 可认为相等, 因此, 单空穴与单粒子经历相等哈密顿量演化后的波函数一定一致. 2)对于平均(粒子或空穴)流, 有⟨Ij,j+1⟩h,1=⟨Ij,j+1⟩1|Q2↔Q4 (如⟨I12⟩h,1=⟨I14⟩1 ), 又由于⟨Ij,j+1⟩1|Q2↔Q4=⟨Ij,j+1⟩1 (如⟨I14⟩1=⟨I12⟩1 ), 可得⟨Ij,j+1⟩h,1=⟨Ij,j+1⟩1 . 3) 对于占据概率,Phj=Pj|Q2↔Q4 . 由于Pj|Q2↔Q4=Pj (如P2=P4 ), 因此, 可得Phj=Pj . 这就从空间对称性分析了单粒子态和单空穴态含时波函数与平均(粒子或空穴)流占据概率方面的异同.从时间反演对称性这个角度来分析单粒子态与单空穴态具有相似演化行为的原因. 这里把空穴基矢
|q1q2q3q4⟩h 与粒子基矢|q1q2q3q4⟩ 进行一一映射, 且不考虑它们的区别. 进一步对体系有效哈密顿量的粒子-空穴操作, 使得有效磁通ΦS 下的单空穴哈密顿量等价于对有效磁通ΦS 下的单粒子哈密顿量做时间反演. 这样, 单空穴态所对应的含时波函数|ψh(t)⟩ 等价于将单粒子态对应的含时波函数|ψ(t)⟩ 的各个系数ψj(t) 中的t替换为−t 并取共轭, 即|ψh(t)⟩=|ψ∗(−t)⟩, (20) Hheff=THeffT−1, (21) Ihj,j+1=−TIj,j+1T−1. (22) 其中T为时间反演算符, 对于有效磁通
ΦS 下单粒子态|1⟩ 的运动行为, 其含时波函数可以记为|ψ(t)⟩ΦS=∑4j=1ψj(t)|j⟩ .通过对比(20)—(22)式, (7)—(9)式和(11)—(13)式. 1)对于波函数,
|ψh(t)⟩=ψ∗1(−t)|1⟩h+ψ∗2(−t)|2⟩h+ψ∗3(−t)|3⟩h+ψ∗4(−t)|4⟩h , 其中ψ∗1(−t)≡ψ1(t) ,ψ∗3(−t)≡ψ3(t) , 如果ΦS=4nπ ,ψ∗2(−t)≡ψ2(t) ,ψ∗4(−t)≡ψ4(t) ,|ψh(t)⟩≡|ψ(t)⟩ ; 否则, 由于ψ∗2(−t)≢ψ2(t) ,ψ∗4(−t)≢ψ4(t) , 使得|ψh(t)⟩≢|ψ(t)⟩ . 可以看出前者满足时间反演对称性Hheff=THeffT−1=Heff , 即单空穴与单粒子的哈密顿量等价. 又因为初始时刻波函数|ψh(0)⟩=|0⟩h 与|ψ(0)⟩=|0⟩ 可认为相等, 因此, 单空穴与单粒子经历相等哈密顿量演化后的波函数一定一致. 这里定义相近度|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩| 表示单空穴态含时波函数|ψh(t)⟩ 与单粒子态含时波函数|ψ(t)⟩ 之间的区别, 并给出相近度表达式|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩|=1+12cos(2˜ω3t) . 当有效磁通ΦS 满足条件ΦS=4nπ 时, 相近度|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩| 始终为1, 如图5中红色实线所示, 可以认为单粒子态与单空穴态的含时波函数相等, 不存在区别. 当不满足条件时则发生了时间反演破缺, 此时单空穴与单粒子的哈密顿量不等价, 虽然初始波函数相同, 但是单空穴态含时波函数|ψh(t)⟩ 与单粒子态含时波函数|ψ(t)⟩ 会随时间产生区别, 如图5中蓝色点段线和绿色虚线所示, 由相近度表达式得知变化的频率为2˜ω3 , 其中˜ω3=2g0sinΦS4 , 当有效磁通ΦS=π/4 时, 与之对应的周期近似为0.32 μs, 而当有效磁通ΦS=π/2 时, 与之对应的周期近似为0.163 μs, 这个在图5中不难看出. 还有在相同的较小时刻且有效磁通ΦS 处于4nπ 至4nπ+2π 区间, 相近度|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩| 随有效磁通ΦS 增大而减小. 2)对于平均(粒子或空穴)流, 有图 5 当有效磁通取 (红色实线),ΦS=0 (蓝点段线)或ΦS=π/4 (绿色虚线)时, 演化时间t后单空穴态含时波函数ΦS=π/2 与单粒子态含时波函数|ψh(t)⟩ 的相近度|ψ(t)⟩ 的变化. 这里取裸耦合强度|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩| MHzg0/(2π)=4 Fig. 5. Variation curves of the similarity degree between the time-dependent wave function|⟨ψh(t)|ψ(t)⟩| in the single hole state and the time-dependent wave function|ψh(t)⟩ in the single particle state for the effective magnetic flux taking|ψ(t)⟩ (solid red),ΦS=0 (dash-dotted blue) orΦS=π/4 (dashed green) after an evolution time t. Here, we specify the bare coupling strengthΦS=π/2 MHz.g0/(2π)=4 ⟨Ij,j+1(t)⟩h, 1=T⟨Ij,j+1(t)⟩h, 1T−1=T⟨ψh(t)|T−1TIhj,j+1T−1T|ψh(t)⟩T−1=−⟨ψ(−t)|Ij,j+1|ψ(−t)⟩1=−⟨Ij,j+1(−t)⟩1=⟨Ij,j+1(t)⟩1, 因此, 可得
⟨Ij,j+1(t)⟩h,1=⟨Ij,j+1(t)⟩1 (如⟨I12(t)⟩h,1=⟨I12(t)⟩1 ). 3)对于占据概率,Phj=|ψ∗j(−t)|2 , 又因为|ψ∗j(−t)|2=|ψj(t)|2 , 因此, 无论是满足时间反演还是在时间反演破缺条件下,Phj=Pj . 以上就是从时间反演对称性分析了单粒子态和单空穴态含时波函数与平均(粒子或空穴)流占据概率方面的异同. 最后可认为如果采用量子层析测量[39]的方法就能够知道单粒子态与单空穴态的区别.6. 粒子流和空穴流的测量方法
对于前面所提到的粒子流可以通过测量得到, 下面来叙述一下测量方法, 此方法借鉴于文献[31]. 首先需要将现有的四量子比特方格结构进行解耦, 得到相邻两个量子比特j与
j+1 之间的哈密顿量Hj,j+1=ℏg0σ+jσ−j+1+H.c. , 由于其会受到环境因素(弛豫速率γj 与退相速率Γj )的影响, 因此j与j+1 两个量子比特间的相互作用可以使用以下林德布拉德主方程来描述:ddtρj,j+1=[Hj,j+1,ρj,j+1]iℏ+Lj[ρj,j+1]+Lj+1[ρj,j+1]+Lj+2[ρj,j+1]+Lj−1[ρj,j+1]. 这里,
Lj[ρj,j+1] 表示林德布拉德耗散项:Lj[ρj,j+1]=−γj⟨j|ρj,j+1|j⟩σjj+γj⟨j|ρj,j+1|j⟩σ00−Γj2⟨j|ρj,j+1|0⟩σj,0−Γj2⟨0|ρj,j+1|j⟩σ0,j, (23) 其中, 投影算符为
σjj=|j⟩⟨j|,σ00=|0⟩⟨0|,σj,0=|j⟩⟨0|,σ0,j=|0⟩⟨j|. 在满足强耦合
g0≫γj,Γj 条件时, 可以定义粒子差Pj,j+1(t)=⟨j+1|ρj,j+1|j+1⟩−⟨j|ρj,j+1|j⟩ , 并且可以由林德布拉德主方程推导得出:Pj,j+1(t)=e−ˉΓt×[Pj,j+1(0)cos(g0t)+2⟨Ij,j+1⟩g0sin(g0t)], (24) ˉΓ=(γj+γj+1+Γj+Γj+1)/4 ,Ij,j+1 表示由j位置量子比特流向j+1 位置量子比特的粒子流. 同理,也定义空穴差表达式为Phj,j+1(t)=h⟨j+1|ρhj,j+1|j+1⟩h−h⟨j|ρhj,j+1|j⟩h , 由林德布拉德主方程推导得出:Phj,j+1(t)=e−˜Γt×[Phj,j+1(0)cos(g0t)+2⟨Ihj,j+1⟩g0sin(g0t)], (25) ˜Γ=(γj+γj+1+2γj+2+2γj−1+Γj+Γj+1)/4, 其中,
⟨Ihj,j+1⟩ 表示由j位置量子比特流向j+1 位置量子比特的空穴流. 最终需要将仿真图像与实验数据进行拟合才可以得到粒子流⟨Ij,j+1⟩ 和空穴流⟨Ihj,j+1⟩ .将空穴基矢
|q1q2q3q4⟩h 与粒子基矢|q1q2q3q4⟩ 进行了一一映射, 对比(24)式与(25)式, 最大的差异主要来自于参数ˉΓ 和˜Γ . 假设单粒子(空穴)态在|j⟩ (|j⟩h )与|j+1⟩ (|j+1⟩h )间演化, 其中单粒子态下林德布拉德耗散项Lj−1[ρj,j+1] 和Lj+2[ρj,j+1] 没有对林德布拉德主方程作出贡献, 而在考虑单空穴态时, 单空穴态下林德布拉德耗散项Lj−1[ρhj,j+1] 和Lj+2[ρhj,j+1] 对林德布拉德主方程作出贡献, 这个原因导致了参数ˉΓ 和˜Γ 的不同.7. 结 论
本文基于电感型耦合器调制比特间耦合产生人造规范势(有效磁通), 且每个比特受独立的经典场驱动的四传输子量子比特正方形格点体系, 研究了单粒子本征态、单空穴本征态、单粒子态以及单空穴态在格点环路存在有效磁通时的输运性质. 经过理论计算得到单粒子本征态
|kn⟩ 与单空穴本征态|kn⟩h 具有相同的本征能谱, 并且相同能量下, 单粒子本征态的平均粒子流⟨Ij,j+1⟩kn 与单空穴本征态的平均空穴流⟨Ij,j+1⟩h,kn 都是有效磁通ΦS 的正弦函数, 二者的数值在相同有效磁通时互为相反数. 当初态为只占据一个格点的单粒子(空穴)时, 如果系统时间反演对称(有效磁通ΦS=4nπ , n为整数), 单粒子与单空穴的含时波函数各分量ψj(t) 与ψhj(t) 相等, 否则系统时间反演破缺, 单粒子与单空穴的含时波函数不相等. 进一步分析证明, 得到上述计算结果是由于对体系哈密顿量的粒子-空穴操作等价于对其做时间反演. 除此以外,还发现单粒子态与单空穴态的演化行为比较相似, 存在两种特殊的情况: 1)当有效磁通ΦS=π 时, 单粒子(空穴)只在初始比特与两个相邻比特之间输运, 即单粒子态|j⟩ (单空穴态|j⟩h )同时演化到单粒子态|j+1⟩ (单空穴态|j+1⟩h )和单粒子态|j−1⟩ (单空穴态|j−1⟩h ), 然后再同时反向演化; 2)当有效磁通ΦS=0 时, 单粒子(空穴)由初始比特通过两个相邻比特输运到初始比特的对角量子比特, 然后再反向输运, 即单粒子态|j⟩ (单空穴态|j⟩h )先同时演化到单粒子态|j+1⟩ (单空穴态|j+1⟩h )和单粒子态|j−1⟩ (单空穴态|j−1⟩h ), 再演化到单粒子态|j+2⟩ (单空穴态|j+2⟩h ), 随时间推移再次反向演化回到初始单粒子(空穴)态. 并且无论有效磁通ΦS 取何值时, 平均(粒子或空穴)流⟨Ij,j+1⟩1 和⟨Ij,j+1⟩h,1 相等, 以及单粒子与单空穴的占据概率Pj 和Phj 也相等. 另外,对体系哈密顿量的粒子-空穴操作也等价于对体系做空间旋转, 在考虑单粒子与单空穴为初始态, 有效磁通ΦS=4nπ (n为整数)时, 经理论计算, 单粒子含时波函数分量ψ2(t) 与ψ4(t) 相等, 使得单粒子与单空穴含时波函数相等; 否则不相等. 对于平均(粒子或空穴)流, 以及单粒子与单空穴的占据概率得到的结论与时间反演情况一致. 本文也介绍了单粒子本征态、单空穴本征态、单粒子态以及单空穴态理想条件下制备流程, 以及粒子流与空穴流的测量方案,希望对今后的实验中提供一些帮助. 本文中使用的量子体系可以作为二维正方格点体系的一个基本单元, 对今后的二维体系量子模拟, 特别是整数量子霍尔效应的研究中具有一定的参考意义.[1] Yang J J, Strukov D B, Stewart D R 2013 Nat. Nanotechnol. 8 13
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图 2 CsSnBr3非铅钙钛矿材料阻变性能 (a) Pt/CsSnBr3/Pt/PET阻变存储器结构示意图; (b)电流-电压(I-V )特性曲线; (c)耐受性[48]
Fig. 2. Resistive switching performance of CsSnBr3 lead-free halide perovskite: (a) Schematic of Pt/CsSnBr3/Pt/PET resistive switching device; (b) typical current-voltage (I-V ) curve; (c) endurance performance[48].
图 3 CsSnI3非铅钙钛矿材料及其阻变性能 (a) CsSnI3晶体结构; (b)阻变存储器结构; (c)器件的截面SEM图; Ag/CsSnI3/Pt/Ti/SiO2/Si器件的(d) I-V特性曲线、(e)耐受性和(f)高低阻态保持特性; Au/CsSnI3/Pt/Ti/SiO2/Si器件的(g) I-V特性曲线、(h)耐受性和(i) 50个不同元器件高低阻态[49]
Fig. 3. Resistive switching performance of CsSnI3 lead-free perovskite: (a) CsSnI3 crystal structure; (b) schematic of the Ag or Au/PMMA/CsSnI3/Pt/SiO2/Si vertical stack structure; (c) cross-sectional SEM image of the device; (d) the typical I-V curves, (e) endurance performance, and (f) retention characteristics of low resistances state (LRS) and high resistance state (HRS) of the Ag/PMMA/CsSnI3/Pt devices; (g) the typical I-V curves, (h) endurance performance, and (i) HRS and LRS of 50 different cells of the Au/PMMA/CsSnI3/Pt devices[49].
图 6 铋基非铅卤素钙钛矿阻变存储器 (a) Au/A3Bi2I9/Pt/Ti/SiO2/Si器件结构示意图; (b) Rb3Bi2I9阻变存储器截面SEM图; (c) Cs3Bi2I9阻变存储器截面SEM图; Rb3Bi2I9阻变存储器的(d) I-V特性曲线、(e)耐受性和(f)保持特性; Cs3Bi2I9阻变存储器的(g) I-V特性曲线、(h)耐受性和(i)保持特性[52]
Fig. 6. The Bi-based perovskite resistance random access memory (ReRAM) devices: (a) Schematic of Au/A3Bi2I9/Pt/Ti/SiO2/Si based ReRAM devices; (b) the cross-section SEM image of Rb3Bi2I9 based ReRAM device; (c) the cross-section SEM image of Cs3Bi2I9 based ReRAM device; (d) the typical I-V curve, (e) endurance, and (f) retention of Rb3Bi2I9 based ReRAM; (g) the typical I-V curve, (h) endurance, and (i) retention of Cs3Bi2I9 based ReRAM[52].
图 9 Au/Cs2AgBi2Br6/ITO 器件在不同恶劣环境下的I-V特性曲线 (a)相对湿度(RH) 10%—80%; (b)温度范围为303—453 K; (c)酒精灯外焰加热10 s; (d)在60Co射线照射下曝露, 总剂量高达5 × 105 rad(SI)[55]
Fig. 9. I-V characteristics of Au/Cs2AgBi2Br6/ITO device in different harsh environments: (a) 10%—80% relative humidity; (b) temperature range from 303 to 453 K; (c) burnt by luminous cone of alcohol lamp for 10 s; (d) exposed under 60Co γ-ray irradiation with a total dose as high as 5 × 105 rad (SI)[55].
图 10 (a) Ag/PMMA/MA3Sb2Br9/ITO阻变存储器结构示意图; (b) MA3Sb2Br9晶体结构; (c) MA3Sb2Br9薄膜截面SEM图; MA3Sb2Br9基阻变存储器的(d) I-V特性曲线、(e)耐久性和(f)保持时间; (g)依赖于连续脉冲的长期增强(LTP)和长期抑制(LTD)现象; (h)突触前和突触后突峰(用于模拟突峰时间依赖性可塑性(STDP)); (i) STDP行为[58]
Fig. 10. (a) Schematic device structure of Ag/PMMA/MA3Sb2Br9/ITO ReRAM; (b) crystal structure of MA3Sb2Br9; (c) cross-sectional SEM image; (d) I-V characteristics, (e) endurance, and (f) retention time of MA3Sb2Br9 based memristors; (g) long-term potentiation (LTP) and long-term depression (LTD) depending on consecutive pulses; (h) presynaptic and postsynaptic spikes for emulating spike timing dependent plasticity (STDP); (i) STDP behavior of an MA3Sb2Br9 memristor[58].
图 11 (a) Cs3Cu2I5非铅钙钛矿晶体结构; Cs3Cu2I5阻变存储器的(b)垂直结构示意图和(c)循环测试; (d)模拟神经突触示意图; (e)线性增强和线性抑制; (f)美国国家标准技术研究院数据库(MNIST)训练数据识别精度[65]
Fig. 11. (a) Cs3Cu2I5 crystal structure; (b) vertical stack structure schematic and (c) cycle tests of the Ag/PMMA/Cs3Cu2I5/ITO memristor; (d) schematic of synapses; (e) linear potentiation and depression; (f) successful recognition accuracy monitored while training the data set from Modified National Institute of Standards and Technology (MNIST)[65].
图 13 (a) Au/PMMA/CsSnI3/Pt器件界面型机理示意图[49]; (b)电场作用下, p型钙钛矿层中锡空位的积累引起的耗尽宽度变化[49]; (c)界面型机理示意图
Fig. 13. (a) Schematic of the interface-type switching mechanism in the Au/PMMA/CsSnI3/Pt device[49]; (b) depletion width variation in the p-type perovskite layer according to the accumulation of Sn vacancies under an electric field[49]; (c) the schematic illustration of interface-type switching mechanism in the switching layer
表 1 基于非铅卤素钙钛矿的阻变存储器的阻变性能
Table 1. Resistive switching performance of resistive switching memory parameters based on lead-free halide perovskites.
器件结构 设置/重置电压/V 开/关比 耐受性/次 保持特性/s Pt/CsSnBr3/Pt/PET[48] 0.2/–0.15 105 50 104 Ag/PMMA/CsSnI3/Pt/Ti/SiO2/Si[49] 0.15/–0.3 104 600 7 × 103 Au/Cs3Bi2I9/Pt/Ti/SiO2/Si[52] –0.5/0.1 107 400 103 Au/Rb3Bi2I9/Pt/Ti/SiO2/Si[52] –0.5/0.09 107 100 103 Al/CsBi3I10/ITO[54] –1.7/0.9 103 100 104 Au/Cs2AgBiBr6/ITO[55] –3.4/2 102 103 105 Au/Cs3Bi2I9/ITO[66] –0.5/0.3 102 103 104 Ag/PMMA/MA3Sb2Br9/ITO[58] 2.5/–0.5 102 300 104 Ag/PMMA/Cs3Cu2I5/ITO[65] –1/0.75 102 100 104 -
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